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STP20NF06FP
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：欧阳先生
电话：13714291754
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
ST
TO-220F
10+
-
原装现货优势库存

STP20NF06FP
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：86-755-8450174913760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
500
ST
TO-220F
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

STP20NF06FP
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ST
TO-220F
最新批号
-
代理此型号，原装特价现货！！

STP20NF06FP
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
TO-220FP
08+
-
假一罚十，百分百原装正品

STP20NF06FP
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
TO-220F
15+
-
原装正品，假一罚十

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STP20NF06FP 技术参数

STP20NF06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP20NE06L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:800pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP20N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:950V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 STP20N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 STP20N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 18A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1345pF @ 100V 功率 - 最大值:130W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP20NM60FP STP20NM65N STP210N75F6 STP21N65M5 STP21N90K5 STP21NM50N STP21NM60N STP21NM60ND STP220N6F7 STP22NF03L STP22NM60N STP22NS25Z STP23N80K5 STP23NM50N STP23NM60N STP23NM60ND STP240N10F7 STP24DP05BTR