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STS2DPF520V-E

配单专家企业名单
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  • STS2DPF520V-E
    STS2DPF520V-E

    STS2DPF520V-E

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ST

  • SOIC8

  • 2005

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • STS2DPF520V-E
    STS2DPF520V-E

    STS2DPF520V-E

  • 深圳市源运电子商行
    深圳市源运电子商行

    联系人:林先生

    电话:15913992480

    地址:深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼

  • 4380

  • ST

  • SOIC8

  • 16+

  • -
  • 全新原装现货

  • STS2DPF520V-E
    STS2DPF520V-E

    STS2DPF520V-E

  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

    电话:1530261991513762584085

    地址:深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 7600

  • ST

  • SOIC8

  • 22+

  • -
  • 公司原装现货,可订货,有单来谈QQ:16...

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STS2DPF520V-E PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
STS2DPF520V-E 技术参数
  • STS2DNF30L 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):121pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS26N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):26A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.4 毫欧 @ 13A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4040pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS25NH3LL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 12.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4450pF @ 25V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS25NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 12.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4450pF @ 25V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS21 功能描述:HIGH ACCURACY DIGITAL TEMP SENSO 制造商:sensirion ag 系列:汽车级,AEC-Q100 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 传感器类型:数字,本地 检测温度 - 本地:-40°C ~ 125°C 检测温度 - 远程:- 输出类型:I2C 电压 - 电源:2.1 V ~ 3.6 V 分辨率:14 b 特性:睡眠模式 精度 - 最高(最低):±0.2°C 测试条件:25°C 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:6-TDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-DFN(3x3) 标准包装:1 STS4C3F60L STS4DNF30L STS4DNF60 STS4DNF60L STS4DNFS30 STS4DNFS30L STS4DPF20L STS4DPF30L STS4DPFS30L STS4NF100 STS5DNF20V STS5DNF60L STS5DP3LLH6 STS5DPF20L STS5N15F3 STS5N15F4 STS5NF60L STS5P3LLH6
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