STU20N15

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STU20N15
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
12065
VBsemi
TO252
23+
-
原厂原装正品现货

STU20N15
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
slgo
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STU20N15
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4625
VBsemi
TO252
2230+
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十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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STU20N15 技术参数

STU1HN60K3 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 600mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:140pF @ 50V 功率 - 最大值:27W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU16N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:299 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1250pF @ 100V 功率 - 最大值:90W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU16N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:19.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:718pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:IPAK（TO-251）标准包装:75 STU16N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:700pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:IPAK（TO-251）标准包装:75 STU150N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.3 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4040pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU3N45K3 STU3N62K3 STU3N65M6 STU3N80K5 STU40N2LH5 STU4N52K3 STU4N62K3 STU4N80K5 STU5N52K3 STU5N60M2 STU5N62K3 STU5N65M6 STU5N95K3 STU5N95K5 STU60N3LH5 STU60N55F3 STU65N3LLH5 STU6N60M2