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STU3055LS

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 6940

  • STU

  • TO252

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  • STU3055LS
    STU3055LS

    STU3055LS

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • 865000

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STU3055LS 技术参数
  • STU2NK100Z 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.85A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 欧姆 @ 900mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):499pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU2N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 2A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):950V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):105pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:IPAK(TO-251) 标准包装:75 STU2N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):105pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:IPAK(TO-251) 标准包装:75 STU2N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):620V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.6 欧姆 @ 1.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):340pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STU2N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1050V(1.05kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 欧姆 @ 750mA, 10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):115pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:IPAK(TO-251) 标准包装:75 STU4N80K5 STU5N52K3 STU5N60M2 STU5N62K3 STU5N65M6 STU5N95K3 STU5N95K5 STU60N3LH5 STU60N55F3 STU65N3LLH5 STU6N60M2 STU6N62K3 STU6N65K3 STU6N65M2 STU6N90K5 STU6N95K5 STU6NF10 STU70N2LH5
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