VLF-1800+(+)

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VLF-1800+(+) 技术参数

VL-F15-8EBN 功能描述:EXPANSION MOD SSD 8GB EUSB IND 制造商:versalogic corporation 系列:- 零件状态:有效配件类型:存储器模块规格:8GB eUSB 模块（USB）标准包装:1 VLF12060T-6R8N7R2 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 7.2A 13.1 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLF 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:6.8μH 容差:±30% 额定电流:7.2A 电流 - 饱和值:7.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:13.1 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.472" 长 x 0.461" 宽（12.00mm x 11.70mm）高度 - 安装（最大值）:0.236"（6.00mm）标准包装:1 VLF12060T-680M2R3 功能描述:68μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLF 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:68μH 容差:±20% 额定电流:2.3A 电流 - 饱和值:2.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:100 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.472" 长 x 0.461" 宽（12.00mm x 11.70mm）高度 - 安装（最大值）:0.236"（6.00mm）标准包装:1 VLF12060T-4R7N7R7 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 7.7A 11.6 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLF 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:4.7μH 容差:±30% 额定电流:7.7A 电流 - 饱和值:9.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:11.6 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.472" 长 x 0.461" 宽（12.00mm x 11.70mm）高度 - 安装（最大值）:0.236"（6.00mm）标准包装:1 VLF12060T-470M2R8 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 2.8A 71 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLF 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:47μH 容差:±20% 额定电流:2.8A 电流 - 饱和值:2.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:71 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.472" 长 x 0.461" 宽（12.00mm x 11.70mm）高度 - 安装（最大值）:0.236"（6.00mm）标准包装:1 VL-F23-1EBN VL-F23-1ECN VL-F23-2EBN VL-F23-2ECN VL-F23-4EBN VL-F23-4ECN VLF252010MT-100M VLF252010MT-100M-CA VLF252010MT-150M VLF252010MT-150M-CA VLF252010MT-1R0N VLF252010MT-1R0N-CA VLF252010MT-1R5N VLF252010MT-1R5N-CA VLF252010MT-220M VLF252010MT-220M-CA VLF252010MT-2R2M VLF252010MT-2R2M-CA