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VLF252012MT-100M

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  • VLF252012MT-100M
    VLF252012MT-100M

    VLF252012MT-100M

  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人：雷小姐

    电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）

    地址：华强街道赛格广场55楼5566室

    资质：营业执照

  • 88660

  • TDK/东电化

  • SMD

  • 85220

  • -

  • ★★★真实库存，假一赔十，原厂授权★★★

  • VLF252012MT-100M
    VLF252012MT-100M

    VLF252012MT-100M

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：朱先生/李小姐

    电话：0755-2394163213723794312（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • TDK

  • SMD

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • VLF252012MT-100M
    VLF252012MT-100M

    VLF252012MT-100M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-62962871629687318256329162961347

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 6000

  • TDK Corporation

  • 标准封装

  • 16+

  • -

  • 假一罚十，百分百正品

  • VLF252012MT-100M
    VLF252012MT-100M

    VLF252012MT-100M

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人：王小姐

    电话：0755-8363553213751165621

    地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质：营业执照

  • 4851

  • TDK Corporation

  • N/A

  • 17+

  • -

  • 原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

  • VLF252012MT-100M
    VLF252012MT-100M

    VLF252012MT-100M

  • 深圳市博盛源科技有限公司
    深圳市博盛源科技有限公司

    联系人：朱先生

    电话：0755-23984783

    地址：华强广场C座22K

    资质：营业执照

  • 59880

  • TDK/东电化

  • SMD

  • 21+

  • -

  • 一级代理现货库存，配单专家竭诚为您服务

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  • 1
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  • 制造商
  • TDK
  • 功能描述
  • INDUCTOR POWER 10UH 780MA
VLF252012MT-100M 技术参数
  • VLF252010MT-R68N-CA 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 43 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M-CA 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:680nH 容差:±30% 额定电流:2.7A 电流 - 饱和值:1.7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:43 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm） 标准包装:1 VLF252010MT-R68N 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 43 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:680nH 容差:±30% 额定电流:2.7A 电流 - 饱和值:1.53A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:43 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm） 标准包装:1 VLF252010MT-R47N-CA 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 3.35A 29 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M-CA 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:470nH 容差:±30% 额定电流:3.35A 电流 - 饱和值:2.04A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:29 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm） 标准包装:1 VLF252010MT-R47N 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 3.35A 29 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:470nH 容差:±30% 额定电流:3.35A 电流 - 饱和值:1.84A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:29 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm） 标准包装:1 VLF252010MT-6R8M-CA 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 850mA 360 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M-CA 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:6.8μH 容差:±20% 额定电流:850mA 电流 - 饱和值:530mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:360 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm） 标准包装:1 VLF252012MT-2R2M VLF252012MT-2R2M-CA VLF252012MT-3R3M VLF252012MT-3R3M-CA VLF252012MT-4R7M VLF252012MT-4R7M-CA VLF252012MT-6R8M VLF252012MT-6R8M-CA VLF252012MT-R47N VLF252012MT-R47N-CA VLF252012MT-R68N VLF252012MT-R68N-CA VLF252015MT-100M VLF252015MT-100M-CA VLF252015MT-150M VLF252015MT-150M-CA VLF252015MT-1R0N VLF252015MT-1R0N-CA
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