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AOTF298L

配单专家企业名单
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AOTF298L PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 33A TO220F
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 单
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
  • TO-220FP
  • 包装
  • 管件
AOTF298L 技术参数
  • AOTF296L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta),41A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):52nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2785pF @ 50V 功率 - 最大值:2.2W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF292L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 70A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):6775pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):47W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220F 封装/外壳:TO-220-3 整包 标准包装:50 AOTF2918L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 58A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta),58A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):53nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3430pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF2916L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 5A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta),17A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):34 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):870pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF2910L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 22A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1190pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF4126 AOTF4185 AOTF42S60L AOTF450L AOTF454L AOTF472 AOTF474 AOTF4N60 AOTF4N60L AOTF4N90 AOTF4S60 AOTF4T60P AOTF5B60D AOTF5B65M1 AOTF5N100 AOTF5N50 AOTF5N50FD AOTF6N90
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