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BCP69

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功能描述
两极晶体管 - BJT SOT-223 PNP GP AMP
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

BCP69 技术参数

BCP68TA 功能描述:TRANS NPN 20V 1A SOT-223 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:Digi-Reel? 零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:63 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BCP68T1G 功能描述:TRANS NPN 20V 1A SOT223 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BCP68T1 功能描述:TRANS NPN 20V 1A SOT223 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:10 BCP68F 功能描述:BCP68/SC-73/REEL 13" Q1/T1 *ST 制造商:nexperia usa inc. 系列:* 包装:剪切带（CT）零件状态:在售安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BCP6825TC 功能描述:TRANS NPN 20V 1A SOT223 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:4,000 BCP6925TA BCP6925TC BCP69T1 BCP69T1G BCP69TA BCPRO850 BCR 101L3 E6327 BCR 101T E6327 BCR 103F E6327 BCR 103L3 E6327 BCR 103T E6327 BCR 108 B6327 BCR 108F E6327 BCR 108L3 E6327 BCR 108T E6327 BCR 112F E6327 BCR 112L3 E6327 BCR 112T E6327