- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录328 > ICL7667CBAZA-T (Intersil)IC MOSFET DRIVER DUAL 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ICL7667CBAZA-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER DUAL 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 20ns |
| 电流 - 峰： | 1A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 15 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1240 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ICL7667CBAZA-TDKR |
ICL7667
Small Outline Plastic Packages (SOIC)
N
INDEX
AREA
E
-B-
H
0.25(0.010) M
B M
M8.15 (JEDEC MS-012-AA ISSUE C)
8 LEAD NARROW BODY SMALL OUTLINE PLASTIC PACKAGE
INCHES MILLIMETERS
SYMBOL MIN MAX MIN MAX NOTES
A 0.0532 0.0688 1.35 1.75 -
1
2
3
L
A1
B
0.0040
0.013
0.0098
0.020
0.10
0.33
0.25
0.51
-
9
SEATING PLANE
C
0.0075
0.0098
0.19
0.25
-
-A-
D
A
h x 45°
D
0.1890
0.1968
4.80
5.00
3
E
0.1497
0.1574
3.80
4.00
4
e
B
0.25(0.010) M
NOTES:
-C-
C A M
B S
A1
α
0.10(0.004)
C
e
H
h
L
N
α
0.050 BSC
0.2284 0.2440
0.0099 0.0196
0.016 0.050
8
0°
8°
1.27 BSC
5.80 6.20
0.25 0.50
0.40 1.27
8
0°
8°
-
-
5
6
7
-
1. Symbols are defined in the “MO Series Symbol List” in Section 2.2 of
Publication Number 95.
2. Dimensioning and tolerancing per ANSI Y14.5M - 1982.
3. Dimension “D” does not include mold flash, protrusions or gate burrs.
Mold flash, protrusion and gate burrs shall not exceed 0.15mm (0.006
inch) per side.
4. Dimension “E” does not include interlead flash or protrusions. Inter-
lead flash and protrusions shall not exceed 0.25mm (0.010 inch) per
side.
5. The chamfer on the body is optional. If it is not present, a visual index
feature must be located within the crosshatched area.
6. “L” is the length of terminal for soldering to a substrate.
7. “N” is the number of terminal positions.
8. Terminal numbers are shown for reference only.
9. The lead width “B”, as measured 0.36mm (0.014 inch) or greater
above the seating plane, shall not exceed a maximum value of
0.61mm (0.024 inch).
10. Controlling dimension: MILLIMETER. Converted inch dimensions
are not necessarily exact.
9
Rev. 1 6/05
FN2853.6
April 29, 2010
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ICL7667CPA+ | IC DRIVER MOSFET DUAL PWR 8-DIP |
| ICM7243BIPLZ | IC LED DRIVR WHITE BCKLGT 40-DIP |
| IDC5N | INPUT MODULE DC 34MA 5VDC |
| IDS7 | SHELF FIXED 14.1X20.3" BEIGE |
| IDT6116SA25TPGI | IC SRAM 16KBIT 25NS 24DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ICL7667CJA | 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ICL7667CPA | 功能描述:功率驱动器IC DL PWR MOS DRVR COM RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ICL7667CPA+ | 功能描述:功率驱动器IC Dual Power Inverting MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ICL7667CPAZ | 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL DL PWR MOS DRVR COM RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ICL7667CTV | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。