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参数资料
| 型号： | ICS271PGLF |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 时钟产生/分配 |
| 英文描述： | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO20 |
| 封装： | 0.173 INCH, ROHS COMPLIANT, TSSOP-20 |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | ICS271PGLF |
ICS271
TRIPLE PLL FIELD PROGRAMMABLE VCXO CLOCK SYNTHESIZER
EPROM VCXO AND SYNTHESIZER
IDT / ICS TRIPLE PLL FIELD PROGRAMMABLE VCXO CLOCK SYNTHESIZER 6
ICS271
REV C 061206
Note 1: Example with 25 MHz crystal input with six outputs of 33.3 MHz, no load, and VDD = 3.3 V.
AC Electrical Characteristics
Unless stated otherwise, VDD, VDDO = 3.3 V ±5%, Ambient Temperature -40 to +85
° C
Input High Voltage
VIH
ICLK
VDD/2+1
V
Input Low Voltage
VIL
ICLK
VDD/2-1
V
Output High Voltage
(CMOS High)
VOH
IOH = -4 mA
VDD-0.4
V
Output High Voltage
VOH
IOH = -8 mA (Low Drive);
IOH = -12 mA (High Drive)
2.4
VDDO-0.4
V
Output Low Voltage
VOL
IOL = 8 mA (Low Drive);
IOL = 12 mA (High Drive)
0.4
V
Short Circuit Current
IOS
Low Drive
±40
mA
High Drive
±70
Nom. Output Impedance
ZO
20
Internal pull-up Resistor
RPUS
S2:S0, PDTS
190
k
Internal pull-down
Resistor
RPD
CLK outputs
120
k
Input Capacitance
CIN
Inputs
4
pF
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max. Units
Input Frequency
FIN
Fundamental crystal
5
27
MHz
Output Frequency
VDDO=VDD
0.314
200
MHz
1.8V<VDDO<2.8
0.314
150
MHz
Crystal Pullability
FP
0V< VIN < 3.3 V, Note 1,
Config. Dependent
100
ppm
VCXO Gain
VIN = VDD/2 + 1 V,
Note 1, Config.
Dependent
120
ppm/V
Output Rise/Fall Time
tOF
80% to 20%, high drive,
Note 2
1.0
ns
Output Rise/Fall Time
tOF
80% to 20%, low drive,
Note 2
2.0
ns
Output Rise/Fall Time
tOF
80% to 20%, high drive,
1.8 V<VDDO<2.8
Note 2
2.0
ns
Output Clock Duty Cycle
VDDO = 3.3 V, Note 3
40
49-51
60
%
Output Frequency Synthesis Error
Configuration Dependent
TBD
ppm
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
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