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参数资料
型号： ICS663MILFT
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 3/8页
文件大小： 0K
描述： IC PLL BUILDING BLOCK 8-SOIC
标准包装： 2,500
类型： 锁相环路（PLL）
PLL： 是
输入： CMOS
输出： CMOS
电路数： 1
比率 - 输入:输出： 1:1
差分 - 输入:输出： 无/无
频率 - 最大： 120MHz
除法器/乘法器： 是/无
电源电压： 3.13 V ~ 5.5 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装： 8-SOIC
包装： 带卷 (TR)
其它名称： 663MILFT
ICS663
PLL BUILDING BLOCK
IDT / ICS PLL BUILDING BLOCK
3
ICS663
REV E 012006
Absolute Maximum Ratings
Stresses above the ratings listed below can cause permanent damage to the ICS663. These ratings, which are
standard values for ICS commercially rated parts, are stress ratings only. Functional operation of the device at
these or any other conditions above those indicated in the operational sections of the specifications is not implied.
Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods can affect product reliability. Electrical
parameters are guaranteed only over the recommended operating temperature range.
Recommended Operation Conditions
DC Electrical Characteristics
VDD=3.3 V ±5% or 5.0 V ±10%, Ambient temperature -40 to +85
° C, unless stated otherwise
Item
Rating
Supply Voltage, VDD
7V
All Inputs and Outputs
-0.5V to VDD+0.5V
Ambient Operating Temperature
0 to +70
° C
Industrial Temperature
-40 to +85
° C
Storage Temperature
-65 to +150
° C
Soldering Temperature
260
° C
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units
Ambient Operating Temperature
-40
+85
° C
Power Supply Voltage (measured in respect to GND)
+3.13
+5.5
V
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Operating Voltage
VDD
3.13
5.5
V
Logic Input High Voltage
VIH
REFIN, FBIN,
SEL
2V
Logic Input Low Voltage
VIL
REFIN, FBIN,
SEL
0.8
V
LF Input Voltage Range
VI
0VDD
V
Output High Voltage
VOH
IOH = -25 mA
2.4
V
Output Low Voltage
VOL
IOL = 25 mA
0.4
V
Output High Voltage, CMOS
level
VOH
IOH = -8 mA
VDD-0.4
Operating Supply Current
IDD
VDD = 5.0 V,
No load, 40 MHz
15
mA
Short Circuit Current
IOS
CLK
±100
mA
Input Capacitance
CI
SEL
5
pF
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