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参数资料
| 型号： | ICS722MT |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 时钟产生/分配 |
| 英文描述： | 28 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| 封装： | 0.150 INCH, SOIC-8 |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 241K |
| 代理商： | ICS722MT |
LOW COST 27 MHZ 3.3 VOLT VCXO
MDS 722 A
5
Revision 121404
In te gr ated Circuit Systems ● 525 Ra ce Street, San Jose, CA 9512 6 ● tel (4 08) 297-1 201 ● www.icst.com
ICS722
AC Electrical Characteristics
VDD = 3.3 V ±5%, Ambient Temperature 0 to +70
° C, unless stated otherwise
Note 1: External crystal device must conform with Pullable Crystal Specifications listed on page 3.
Thermal Characteristics
Marking Diagram (ICS722M)
Marking Diagram (ICS722MLF)
Notes:
1. ###### is the lot number.
2. YYWW is the last two digits of the year and week that the part was assembled.
3. “LF” denotes Pb (lead) free package.
4. Bottom marking: (origin)
Origin = country of origin if not USA.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Output Frequency
FO
16.2
28
MHz
Crystal Pullability
FP
0V< VIN < 3.3 V, Note 1
+ 115
ppm
VCXO Gain
VIN = VDD/2 + 1 V, Note 1
120
ppm/V
Output Rise Time
tOR
0.8 to 2.0 V, CL=15 pF
1.5
ns
Output Fall Time
tOF
2.0 to 0.8 V, CL=15 pF
1.5
ns
Output Clock Duty
Cycle
tD
Measured at 1.4 V, CL=15 pF
40
50
60
%
Maximum Output
Jitter, short term
tJ
CL=15 pF
110
ps
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Thermal Resistance Junction to
Ambient
θ
JA
Still air
150
°C/W
θ
JA
1 m/s air flow
140
°C/W
θ
JA
3 m/s air flow
120
°C/W
Thermal Resistance Junction to Case
θ
JC
40
°C/W
ICS722M
######
YYWW
14
5
8
722MLF
######
YYWW
14
5
8
ICS722
LOW COST 27 MHZ 3.3 VOLT VCXO
TSD
IDT / ICS LOW COST 27 MHZ 3.3 VOLT VCXO
ICS722
5
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