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参数资料
| 型号： | ICS841S012DKILFT |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FREQ SYNTHESIZER 56VFQFN |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HiPerClockS™, PCI Express® (PCIe) |
| 类型： | 时钟/频率合成器，多路复用器 |
| PLL： | 是 |
| 主要目的： | PCI Express（PCIe） |
| 输入： | LVCMOS，LVTTL，晶体 |
| 输出： | HCSL，LVCMOS，LVTTL |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 2:12 |
| 差分 - 输入:输出： | 是/无 |
| 频率 - 最大： | 250MHz |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 56-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 56-VFQFP-EP（8x8） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ICS841S012BKI REVISION A NOVEMBER 10, 2009
17
2009 Integrated Device Technology, Inc.
ICS841S012I Data Sheet
CRYSTAL-TO-0.7V DIFFERENTIAL HCSL/LVCMOS FREQUENCY SYNTHESIZER
TABLE 7. THERMAL RESISTANCE
θθθθθ
JA FOR 56 LEAD VFQFN, FORCED CONVECTION
2. Junction Temperature.
Junction temperature, Tj, is the temperature at the junction of the bond wire and bond pad and directly affects the reliability
of the device. The maximum recommended junction temperature for HiPerClockSTM devices is 125°C.
The equation for Tj is as follows: Tj =
θ
JA * Pd_total + TA
Tj = Junction Temperature
θ
JA = Junction-to-Ambient Thermal Resistance
Pd_total = Total Device Power Dissipation (example calculation is in section 1 above)
T
A = Ambient Temperature
In order to calculate junction temperature, the appropriate junction-to-ambient thermal resistance
θ
JA must be used.
Assuming 1 meter per second air flow and a multi-layer board, the appropriate value is 31.4°C/W per Table 7.
Therefore, Tj for an ambient temperature of 85°C with all outputs switching is:
85°C + 1.159W * 31.4°C/W = 121.4°C. This is below the limit of 125°C.
This calculation is only an example. Tj will obviously vary depending on the number of loaded outputs, supply voltage, air
flow, and the type of board (multi-layer).
θθθθθ
JA by Velocity (Meters per second)
0
1
2.5
Multi-Layer PCB, JEDEC Standard Test Boards
31.4°C/W
27.5°C/W
24.6°C/W
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参数描述 |
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