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参数资料
| 型号： | ICS850S1201BGILFT |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CLOCK MUX 12:1 250MHZ 20TSSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | HiPerClockS™ |
| 类型： | 多路复用器 |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 12:1 |
| 差分 - 输入:输出： | 无/无 |
| 输入： | LVCMOS，LVTTL |
| 输出： | LVCMOS，LVTTL |
| 频率 - 最大： | 250MHz |
| 电源电压： | 2.375 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 20-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ICS850S1201BGI REVISION A JANUARY 4, 2010
5
2010 Integrated Device Technology, Inc.
ICS850S1201I Data Sheet
12:1 SINGLE-ENDED MULTIPLEXER
Table 4C. LVCMOS/LVTTL DC Characteristics, VDD = 3.3V ± 5% or 2.5V ± 5%, TA = -40°C to 85°C
NOTE 1: Output terminated with 50
to V
DD/2. See Parameter Measurement Information section. Load Test Circuit diagrams.
AC Electrical Characteristics
Table 5A. AC Characteristics, VDD = 3.3V ± 5%, TA = -40°C to 85°C
NOTE: Electrical parameters are guaranteed over the specified ambient operating temperature range, which is established when the device is
mounted in a test socket with maintained transverse airflow greater than 500 lfpm. The device will meet specifications after thermal equilibrium
has been reached under these conditions.
NOTE 1: Measured from VDD/2 of the input to VDD/2 of the output.
NOTE 2: Defined as skew between outputs on different devices operating at the same supply voltage and with equal load conditions. Using
the same type of inputs on each device, the outputs are measured at the differential cross points.
NOTE 3: This parameter is defined according with JEDEC Standard 65.
NOTE 4: Input duty cycle must be 50%.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
VIH
Input
High Voltage
VDD = 3.465V
2
VDD + 0.3
V
VDD = 2.625V
1.7
VDD + 0.3
V
VIL
Input
Low Voltage
VDD = 3.465V
-0.3
0.8
V
VDD = 2.625V
-0.3
0.7
V
IIH
Input
High Current
CLK[0:11],
CLK_SEL[0:3]
VDD = VIN = 3.465V or 2.625V
150
A
OE
VDD = VIN = 3.465V or 2.625V
10
A
IIL
Input
Low Current
CLK[0:11],
CLK_SEL[0:3]
VDD = 3.465V or 2.625V, VIN = 0V
-10
A
OE
VDD = 3.465V or 2.625V, VIN = 0V
-150
A
VOH
Output High Voltage; NOTE 1
VDD = 3.3V ± 5%, IOH = -12mA
2.6
V
VDD = 2.5V ± 5%, IOH = -12mA
1.8
V
VOL
Output Low Voltage; NOTE 1
VDD = 3.3V ± 5% or 2.5V ± 5%,
IOL = 12mA
0.5
V
Symbol
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
fMAX
Output Frequency
250
MHz
tpLH
Propagation Delay, Low-to-High;
NOTE 1
1.4
2.7
ns
tjit
Buffer Additive Phase Jitter, RMS;
refer to Additive Phase Jitter Section
155.52MHz, Integration
Range: 12kHz – 20MHz
0.35
ps
tsk(i)
Input Skew
175
ps
tsk(pp)
Part-to-Part Skew; NOTE 2, 3
600
ps
tR / tF
Output Rise/Fall Time
20% to 80%
100
500
ps
odc
Output Duty Cycle; NOTE 4
f
≤ 200MHz
46
54
%
f = 250MHz
40
60
%
MUXISOLATION MUX Isolation
155.52MHz
43
dB
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