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参数资料
| 型号： | ICS85211BMI-03LN |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CLOCK BUFFER 1:2 700MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 97 |
| 系列： | HiPerClockS™ |
| 类型： | 扇出缓冲器（分配） |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 1:2 |
| 差分 - 输入:输出： | 是/是 |
| 输入： | HCSL，LVDS，LVHSTL，LVPECL，SSTL |
| 输出： | LVHSTL |
| 频率 - 最大： | 700MHz |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 800-1959-5 85211BMI-03LN ICS85211BMI-03LN-ND |
ICS85211BMI-03 REVISION C MARCH 12, 2010
10
2010 Integrated Device Technology, Inc.
ICS85211BI-03 Data Sheet
LOW SKEW, 1-TO-2, DIFFERENTIAL-TO-LVHSTL FANOUT BUFFER
Power Considerations
This section provides information on power dissipation and junction temperature for the ICS85211BI-03.
Equations and example calculations are also provided.
1.
Power Dissipation.
The total power dissipation for the ICS85211BI-03 is the sum of the core power plus the power dissipated in the load(s).
The following is the power dissipation for VDD= 3.3V + 5% = 3.465V, which gives worst case results.
NOTE: Please refer to Section 3 for details on calculating power dissipated in the load.
Power (core)MAX = VDD_MAX * IDD_MAX = 3.465V * 55mA = 190.6mW
Power (outputs)MAX = 77.76mW/Loaded Output pair
If all outputs are loaded, the total power is 2 * 77.76mW = 155.52mW
Total Power_MAX (3.3V, with all outputs switching) =190.6mW + 155.52mW = 346.12mW
2. Junction Temperature.
Junction temperature, Tj, is the temperature at the junction of the bond wire and bond pad, and directly affects the reliability of the device. The
maximum recommended junction temperature is 125°C. Limiting the internal transistor junction temperature, Tj, to 125°C ensures that the bond
wire and bond pad temperature remains below 125°C.
The equation for Tj is as follows: Tj =
θ
JA * Pd_total + TA
Tj = Junction Temperature
θ
JA = Junction-to-Ambient Thermal Resistance
Pd_total = Total Device Power Dissipation (example calculation is in section 1 above)
TA = Ambient Temperature
In order to calculate junction temperature, the appropriate junction-to-ambient thermal resistance
θ
JA must be used. Assuming a moderate air
flow of 200 linear feet per minute and a multi-layer board, the appropriate value is 103.3°C/W per Table 6 below.
Therefore, Tj for an ambient temperature of 85°C with all outputs switching is:
85°C + 0.346W * 103.3°C/W = 120.7°C. This is below the limit of 125°C.
This calculation is only an example. Tj will obviously vary depending on the number of loaded outputs, supply voltage, air flow and the type of
board (multi-layer).
Table 6. Thermal Resistance θJA for 8 Lead SOIC, Forced Convection
θ
JA vs. Air Flow
Linear Feet per Minute
0
200
500
Single-Layer PCB, JEDEC Standard Test Boards
153.3°C/W
128.5°C/W
115.5°C/W
Multi-Layer PCB, JEDEC Standard Test Boards
112.7°C/W
103.3°C/W
97.1°C/W
NOTE: Most modern PCB designs use multi-layered boards. The data in the second row pertains to most designs.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| ICS85211AMI-03LF | IC CLOCK BUFFER 1:2 700MHZ 8SOIC |
| VI-2TH-MW-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 52V 100W |
| VI-21Z-MU-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 2V 80W |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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