参数资料
型号: ICS85211BMI-03LN
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 9/15页
文件大小: 0K
描述: IC CLOCK BUFFER 1:2 700MHZ 8SOIC
标准包装: 97
系列: HiPerClockS™
类型: 扇出缓冲器(分配)
电路数: 1
比率 - 输入:输出: 1:2
差分 - 输入:输出: 是/是
输入: HCSL,LVDS,LVHSTL,LVPECL,SSTL
输出: LVHSTL
频率 - 最大: 700MHz
电源电压: 3.135 V ~ 3.465 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
其它名称: 800-1959-5
85211BMI-03LN
ICS85211BMI-03LN-ND
ICS85211BMI-03 REVISION C MARCH 12, 2010
3
2010 Integrated Device Technology, Inc.
ICS85211BI-03 Data Sheet
LOW SKEW, 1-TO-2, DIFFERENTIAL-TO-LVHSTL FANOUT BUFFER
Absolute Maximum Ratings
NOTE: Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device.
These ratings are stress specifications only. Functional operation of product at these conditions or any conditions beyond
those listed in the DC Characteristics or AC Characteristics is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for
extended periods may affect product reliability.
DC Electrical Characteristics
Table 4A. Power Supply DC Characteristics, VDD = 3.3V±5%, TA = -40°C to 85°C
Table 4B. Differential DC Characteristics, VDD = 3.3V±5%, TA = -40°C to 85°C
NOTE 1: VIL should not be less than -0.3V.
NOTE 2: Common mode voltage is defined as VIH.
Item
Rating
Supply Voltage, VDD
4.6V
Inputs, VI
-0.5V to VDD + 0.5V
Outputs, IO
Continuos Current
Surge Current
50mA
100mA
Storage Temperature, TSTG
-65
°C to 150°C
Package Thermal Impedance,
θ
JA
112.7
°C/W (0 lfpm)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
VDD
Positive Supply Voltage
3.135
3.3
3.465
V
IDD
Power Supply Current
55
mA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
IIH
Input High Current
CLK
VDD = VIN = 3.465V
5
A
nCLK
VDD = VIN = 3.465V
150
A
IIL
Input Low Current
CLK
VDD = 3.465V, VIN = 0V
-150
A
nCLK
VDD = 3.465V, VIN = 0V
-5
A
VPP
Peak-to-Peak Input Voltage;
NOTE 1
0.15
1.3
V
VCMR
Common Mode Input Voltage;
NOTE 1, 2
GND + 0.5
VDD – 0.85
V
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