参数资料
型号: ICS951AI147L
厂商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: LOW SKEW, 1-TO-9 DIFFERENTIAL-TOLVCMOS ZERO DELAY BUFFER
中文描述: 低偏移,1到9微分TOLVCMOS零延迟缓冲器
文件页数: 5/15页
文件大小: 598K
代理商: ICS951AI147L
IDT
/ ICS
DIFFERENTIAL-TO-LVCMOS ZERO DELAY BUFFER
5
ICS87951I-147 REV A JUNE 21, 2006
ICS87951I-147
LOW SKEW, 1-TO-9, DIFFERENTIAL-TO-LVCMOS ZERO DELAY BUFFER
T
ABLE
4C. DC C
HARACTERISTICS
,
V
DDA
= V
DDO
= 3.3V±5%, T
A
= -40°C
TO
85°C
T
ABLE
4A. P
OWER
S
UPPLY
DC C
HARACTERISTICS
,
V
DDA
= V
DDO
= 3.3V±5%, T
A
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TO
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3
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A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
Supply Voltage, V
DD
4.6V
Inputs, V
I
-0.5V to V
DDA
+ 0.5 V
Outputs, V
O
-0.5V to V
DDO
+ 0.5V
Package Thermal Impedance,
θ
JA
42.1°C/W (0 lfpm)
Storage Temperature, T
STG
-65°C to 150°C
NOTE: Stresses beyond those listed under Absolute
Maximum Ratings may cause permanent damage to the
device. These ratings are stress specifications only. Functional op-
eration of product at these conditions or any conditions beyond
those listed in the DC Characteristicsor AC Characteristicsis not
implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for ex-
tended periods may affect product reliability.
T
ABLE
4B. P
OWER
S
UPPLY
DC C
HARACTERISTICS
,
V
DDA
= V
DDO
= 2.5V±5%, T
A
= 0°C
TO
85°C
l
b
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V
V
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