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参数资料
| 型号： | IDT08S60C |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode |
| 中文描述： | 第二代thinQ！碳化硅肖特基二极管 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 240K |
| 代理商： | IDT08S60C |
IDT08S60C
1 Power dissipation
2 Diode forward current
P
tot
=f(
T
C
)
I
F
=f(
T
C
);
T
j
≤
175 °C
parameter: R
thJC(max)
parameter:
R
thJC(max)
;
V
F(max)
3 Typ. forward characteristic
4 Typ. forward characteristic in surge current
I
F
=f(
V
F
);
t
p
=400 μs
mode
parameter:
T
j
I
F
=f(
V
F
);
t
p
=400 μs; parameter:
T
j
0
10
20
30
40
50
60
70
80
25
50
75
100
T
C
[°C]
125
150
175
200
P
t
-55 °C
25 °C
100 °C
150 °C
175 °C
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
V
F
[V]
I
F
0
4
8
12
16
20
25
50
75
100
125
150
175
200
T
C
[°C]
I
F
-55 °C
25 °C
100 °C
150 °C
175 °C
0
20
40
60
80
0
2
4
6
8
V
F
[V]
I
F
Rev. 2.0
page 3
2006-03-14
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT12S60C | 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode |
| IDT77950 | SwitchStarTM Reference Design Using the IDT77V400 Switching Memory and IDT77V500 Switch Controller |
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| IEC-TO-220V-18 | TEANSISTOR INSULATORS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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