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参数资料
| 型号： | IDT6116SA15SOG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 15NS 24SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 24-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 6116SA15SOG8 |
IDT6116SA/LA
CMOS Static RAM 2K (16K x 8-Bit)
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics (V CC = 5V ± 10%, All Temperature Ranges)
6 1 1 6 S A 1 5 ( 1 )
6 1 1 6 S A 2 0
6 1 1 6 L A 2 0
6 1 1 6 S A 2 5
6 1 1 6 L A 2 5
6 1 1 6 S A 3 5 ( 2 )
6 1 1 6 L A 3 5 ( 2 )
S y m b o l
P a r a m e t e r
M i n .
M a x .
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( 3 )
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C h i p S e l e c t t o E n d - o f - W r i t e
A d d r e s s V a l i d t o E n d - o f - W r i t e
A d d r e s s S e t - u p T i m e
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D a t a t o W r i t e T i m e O v e r l a p
D a t a H o l d f r o m W r i t e T i m e
O u t p u t A c t i v e f r o m E n d - o f - W r i t e
1 5
1 3
1 4
0
1 2
0
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1 2
0
0
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7
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2 0
1 5
1 5
0
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0
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0
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8
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2 5
1 7
1 7
0
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0
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1 3
0
0
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1 6
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3 5
2 5
2 5
0
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0
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1 5
0
0
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2 0
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n s
n s
n s
n s
n s
n s
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n s
n s
n s
3 0 8 9 t b l 1 4
AC Electrical Characteristics (V CC = 5V ± 10%, All Temperature Ranges)(con't)
6 1 1 6 S A 4 5 ( 2 )
6 1 1 6 L A 4 5 ( 2 )
6 1 1 6 S A 5 5 ( 2 )
6 1 1 6 L A 5 5 ( 2 )
6 1 1 6 S A 7 0 ( 2 )
6 1 1 6 L A 7 0 ( 2 )
6 1 1 6 S A 9 0 ( 2 )
6 1 1 6 L A 9 0 ( 2 )
6 1 1 6 S A 1 2 0 ( 2 )
6 1 1 6 L A 1 2 0 ( 2 )
6 1 1 6 S A 1 5 0 ( 2 )
6 1 1 6 L A 1 5 0 ( 2 )
S y m b o l
P a r a m e t e r
M i n .
M a x .
M i n .
M a x .
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M i n .
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M a x .
U n i t
W r i t e C y c l e
t W C
t C W
t A W
t A S
t W P
t W R
t W H Z ( 3 )
t D W
t D H ( 4 )
t O W ( 3 , 4 )
W r i t e C y c l e T i m e
C h i p S e l e c t t o E n d - o f - W r i t e
A d d r e s s V a l i d t o E n d - o f - W r i t e
A d d r e s s S e t - u p T i m e
W r i t e P u l s e W i d t h
W r i t e R e c o v e r y T i m e
W r i t e t o O u t p u t i n H i g h - Z
D a t a t o W r i t e T i m e O v e r l a p
D a t a H o l d f r o m W r i t e T i m e
O u t p u t A c t i v e f r o m E n d - o f - W r i t e
4 5
3 0
3 0
0
2 5
0
_ _ _ _
2 0
0
0
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2 5
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4 5
5
4 0
5
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2 5
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0
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3 0
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7 0
4 0
6 5
1 5
4 0
5
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3 0
5
0
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3 5
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9 0
5 5
8 0
1 5
5 5
5
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3 0
5
0
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4 0
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1 2 0
7 0
1 0 5
2 0
7 0
5
_ _ _ _
3 5
5
0
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4 0
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1 5 0
9 0
1 2 0
2 0
9 0
1 0
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4 0
1 0
0
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4 0
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NOTES:
3 0 8 9 t b l 1 5
1. 0°C to +70°C temperature range only.
2. –55°C to +125°C temperature range only.
3. This parameter guaranteed with AC Load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.
4. The specification for t DH must be met by the device supplying write data to the RAM under all operation conditions. Although t DH and t OW values will vary over voltage
and temperature, the actual t DH will always be smaller than the actual t OW .
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参数描述 |
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