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参数资料
| 型号： | IDT6116SA20SOG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 20NS 24SOIC |
| 标准包装： | 310 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 24-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 6116SA20SOG |
IDT6116SA/LA
CMOS Static RAM 2K (16K x 8-Bit)
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics (1) (continued)
(V CC = 5.0V ± 10%, V LC = 0.2V, V HC = V CC - 0.2V)
6 1 1 6 S A 3 5
6 1 1 6 L A 3 5
6 1 1 6 S A 4 5
6 1 1 6 L A 4 5
6 1 1 6 S A 5 5
6 1 1 6 L A 5 5
6 1 1 6 S A 7 0
6 1 1 6 L A 7 0
6 1 1 6 S A 9 0
6 1 1 6 L A 9 0
6 1 1 6 S A 1 2 0
6 1 1 6 L A 1 2 0
6 1 1 6 S A 1 5 0
6 1 1 6 L A 1 5 0
S y m b o l
I C C 1
I C C 2
I S B
I S B 1
P a r a m e t e r
O p e r a t i n g P o w e r S u p p l y
C u r r e n t , C S < V I L ,
O u t p u t s O p e n
V C C = M a x . , f = 0
D y n a m i c O p e r a t i n g
C u r r e n t , C S < V I L ,
O u t p u t s O p e n
V C C = M a x . , f = f M A X ( 2 )
S t a n d b y P o w e r S u p p l y
C u r r e n t ( T T L L e v e l )
C S > V I H , O u t p u t s O p e n
V C C = M a x . , f = f M A X ( 2 )
F u l l S t a n d b y P o w e r
S u p p l y C u r r e n t ( C M O S
L e v e l ) , C S > V H C ,
V C C = M a x . , V I N < V L C
o r V I N > V H C , f = 0
P o w e r
S A
L A
S A
L A
S A
L A
S A
L A
M i l O n l y
9 0
8 5
1 1 5
1 0 5
3 5
3 0
1 0
0 . 9
M i l O n l y
9 0
8 5
1 0 0
9 5
2 5
2 0
1 0
0 . 9
M i l O n l y
9 0
8 5
1 0 0
9 0
2 5
2 0
1 0
0 . 9
M i l O n l y
9 0
8 5
1 0 0
9 0
2 5
2 0
1 0
0 . 9
M i l O n l y
9 0
8 5
1 0 0
8 5
2 5
2 5
1 0
0 . 9
M i l O n l y
9 0
8 5
1 0 0
8 5
2 5
1 5
1 0
0 . 9
M i l O n l y
9 0
8 5
9 0
8 5
2 5
1 5
1 0
0 . 9
U n i t
m A
m A
m A
m A
3 0 8 9 t b l 0 9
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. f MAX = 1/t RC , only address inputs are toggling at f MAX , f = 0 means address inputs are not changing.
Data Retention Characteristics Over All Temperature Ranges
(LA Version Only) (V LC = 0.2V, V HC = V CC – 0.2V)
Typ. (1)
V CC @
Max.
V CC @
Symbol
V DR
I CCDR
t CDR (3)
t R (3)
I I LI I
Parameter
V CC for Data Retention
Data Retention Current
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operation Recovery Time
Input Leakage Current
Test Condition
____
MIL.
COM'L.
CS > V HC
V IN > V HC or < V LC
Min.
2.0
____
____
____
t RC (2)
____
2.0V
____
0.5
0.5
0
____
____
3.0V
____
1.5
1.5
____
____
____
2.0V
____
200
20
____
____
2
3.0V
____
300
30
____
____
2
Unit
V
μ A
ns
ns
μ A
NOTES:
1. T A = + 25°C
2. t RC = Read Cycle Time.
3. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
4
3089 tbl 10
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参数描述 |
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