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参数资料
| 型号： | IDT6116SA20SOG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 20NS 24SOIC |
| 标准包装： | 310 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 24-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 6116SA20SOG |
IDT6116SA/LA
CMOS Static RAM 2K (16K x 8-Bit)
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics (V CC = 5V ± 10%, All Temperature Ranges)
6 1 1 6 S A 1 5 ( 1 )
6 1 1 6 S A 2 0
6 1 1 6 L A 2 0
6 1 1 6 S A 2 5
6 1 1 6 L A 2 5
6 1 1 6 S A 3 5 ( 2 )
6 1 1 6 L A 3 5 ( 2 )
S y m b o l
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C h i p D e s e l e c t t o O u t p u t i n H i g h - Z
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C h i p S e l e c t t o P o w e r U p T i m e
C h i p D e s e l e c t t o P o w e r D o w n T i m e
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3 0 8 9 t b l 1 2
AC Electrical Characteristics (V CC = 5V ± 10%, All Temperature Ranges) (continued)
6 1 1 6 S A 4 5 ( 2 )
6 1 1 6 L A 4 5 ( 2 )
6 1 1 6 S A 5 5 ( 2 )
6 1 1 6 L A 5 5 ( 2 )
6 1 1 6 S A 7 0 ( 2 )
6 1 1 6 L A 7 0 ( 2 )
6 1 1 6 S A 9 0 ( 2 )
6 1 1 6 L A 9 0 ( 2 )
6 1 1 6 S A 1 2 0 ( 2 )
6 1 1 6 L A 1 2 0 ( 2 )
6 1 1 6 S A 1 5 0 ( 2 )
6 1 1 6 L A 1 5 0 ( 2 )
S y m b o l
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A d d r e s s A c c e s s T i m e
C h i p S e l e c t A c c e s s T i m e
C h i p S e l e c t t o O u t p u t i n L o w - Z
O u t p u t E n a b l e t o O u t p u t V a l i d
O u t p u t E n a b l e t o O u t p u t i n L o w - Z
C h i p D e s e l e c t t o O u t p u t i n H i g h - Z
O u t p u t D i s a b l e t o O u t p u t i n H i g h - Z
O u t p u t H o l d f r o m A d d r e s s C h a n g e
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3 0
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1 2 0
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5
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NOTES:
1. 0°C to +70°C temperature range only.
2. –55°C to +125°C temperature range only.
3. This parameter guaranteed with the AC Load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.
6
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT6116SA20SOG8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 24SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| IDT6116SA20SOI | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 24SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT6116SA20SOI8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 24SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT6116SA20TD | 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
| IDT6116SA20TDB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 24CERDIP |
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