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参数资料
| 型号： | IDT6116SA25L28BG8 |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, CQCC28 |
| 封装： | LCC-28 |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | IDT6116SA25L28BG8 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT61298SA25TCB | 64K X 4 STANDARD SRAM, 25 ns, CDIP28 |
| IDT7005L55FB | Single, Ultra Low Cost, RRIO CMOS Amplifier |
| IDT7005L55G | Single, Ultra Low Cost, RRIO CMOS Amplifier; Package: SOT-23; No of Pins: 5; Container: Tape & Reel |
| IDT7005L55GB | Single, Ultra Low Cost, RRIO CMOS Amplifier |
| IDT7005L55J | Dual, Ultra Low Cost, RRIO CMOS Amplifier; Package: MSOP; No of Pins: 8; Container: Tape & Reel |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT6116SA25P | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述: |
| IDT6116SA25PB | 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
| IDT6116SA25PI | 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
| IDT6116SA25SO | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 24SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT6116SA25SO8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 24SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
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