收藏本站
参数资料
型号： IDT6116SA25TPGI
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 4/11页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 16KBIT 25NS 24DIP
标准包装： 15
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 异步
存储容量： 16K (2K x 8)
速度： 25ns
接口： 并联
电源电压： 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 24-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商设备封装： 24-PDIP
包装： 管件
其它名称： 6116SA25TPGI
IDT6116SA/LA
CMOS Static RAM 2K (16K x 8-Bit)
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics (1) (continued)
(V CC = 5.0V ± 10%, V LC = 0.2V, V HC = V CC - 0.2V)
6 1 1 6 S A 3 5
6 1 1 6 L A 3 5
6 1 1 6 S A 4 5
6 1 1 6 L A 4 5
6 1 1 6 S A 5 5
6 1 1 6 L A 5 5
6 1 1 6 S A 7 0
6 1 1 6 L A 7 0
6 1 1 6 S A 9 0
6 1 1 6 L A 9 0
6 1 1 6 S A 1 2 0
6 1 1 6 L A 1 2 0
6 1 1 6 S A 1 5 0
6 1 1 6 L A 1 5 0
S y m b o l
I C C 1
I C C 2
I S B
I S B 1
P a r a m e t e r
O p e r a t i n g P o w e r S u p p l y
C u r r e n t , C S < V I L ,
O u t p u t s O p e n
V C C = M a x . , f = 0
D y n a m i c O p e r a t i n g
C u r r e n t , C S < V I L ,
O u t p u t s O p e n
V C C = M a x . , f = f M A X ( 2 )
S t a n d b y P o w e r S u p p l y
C u r r e n t ( T T L L e v e l )
C S > V I H , O u t p u t s O p e n
V C C = M a x . , f = f M A X ( 2 )
F u l l S t a n d b y P o w e r
S u p p l y C u r r e n t ( C M O S
L e v e l ) , C S > V H C ,
V C C = M a x . , V I N < V L C
o r V I N > V H C , f = 0
P o w e r
S A
L A
S A
L A
S A
L A
S A
L A
M i l O n l y
9 0
8 5
1 1 5
1 0 5
3 5
3 0
1 0
0 . 9
M i l O n l y
9 0
8 5
1 0 0
9 5
2 5
2 0
1 0
0 . 9
M i l O n l y
9 0
8 5
1 0 0
9 0
2 5
2 0
1 0
0 . 9
M i l O n l y
9 0
8 5
1 0 0
9 0
2 5
2 0
1 0
0 . 9
M i l O n l y
9 0
8 5
1 0 0
8 5
2 5
2 5
1 0
0 . 9
M i l O n l y
9 0
8 5
1 0 0
8 5
2 5
1 5
1 0
0 . 9
M i l O n l y
9 0
8 5
9 0
8 5
2 5
1 5
1 0
0 . 9
U n i t
m A
m A
m A
m A
3 0 8 9 t b l 0 9
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. f MAX = 1/t RC , only address inputs are toggling at f MAX , f = 0 means address inputs are not changing.
Data Retention Characteristics Over All Temperature Ranges
(LA Version Only) (V LC = 0.2V, V HC = V CC – 0.2V)
Typ. (1)
V CC @
Max.
V CC @
Symbol
V DR
I CCDR
t CDR (3)
t R (3)
I I LI I
Parameter
V CC for Data Retention
Data Retention Current
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operation Recovery Time
Input Leakage Current
Test Condition
____
MIL.
COM'L.
CS > V HC
V IN > V HC or < V LC
Min.
2.0
____
____
____
t RC (2)
____
2.0V
____
0.5
0.5
0
____
____
3.0V
____
1.5
1.5
____
____
____
2.0V
____
200
20
____
____
2
3.0V
____
300
30
____
____
2
Unit
V
μ A
ns
ns
μ A
NOTES:
1. T A = + 25°C
2. t RC = Read Cycle Time.
3. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
4
3089 tbl 10
相关PDF资料
PDF描述
IDT7005S35G IC SRAM 64KBIT 35NS 68PGA
IDT7006L55G IC SRAM 128KBIT 55NS 68PGA
IDT7007L20G IC SRAM 256KBIT 20NS 68PGA
IDT7008L25G IC SRAM 512KBIT 25NS 84PGA
IDT7009L20PFI IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT6116SA25TPI 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 24DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT6116SA25Y 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116SA25YB 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116SA25YI 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116SA30D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x8 SRAM
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*