收藏本站
参数资料
型号： IDT7005S35G
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 7/21页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 64KBIT 35NS 68PGA
标准包装： 3
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 双端口，异步
存储容量： 64K (8K x 8)
速度： 35ns
接口： 并联
电源电压： 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度： 0°C ~ 70°C
封装/外壳： 68-BPGA
供应商设备封装： 68-PGA（29.46x29.46）
包装： 托盘
其它名称： 7005S35G
IDT7005S/L
High-Speed 8K x 8 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Test Conditions
5V
5V
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
GND to 3.0V
5ns Max.
1.5V
DATA OUT
BUSY
1250 ?
DATA OUT
1250 ?
Output Reference Levels
1.5V
INT
775 ?
30pF
775 ?
5pF*
Output Load
Figures 1 and 2
2738 tbl 12
Figure 1. AC Output Test Load
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (4)
2738 drw 06
Figure 2. Output Test Load
(For t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
*Including scope and jig
7005X15
Com'l Only
7005X17
Com'l Only
7005X20
Com'l, Ind
& Military
7005X25
Com'l &
Military
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
t ACE
t AOE
t OH
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Enable Access Time (3)
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
15
____
____
____
3
____
15
15
10
____
17
____
____
____
3
____
17
17
10
____
20
____
____
____
3
____
20
20
12
____
25
____
____
____
3
____
25
25
13
____
ns
ns
ns
ns
ns
t LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
3
____
3
____
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
10
____
10
____
12
____
15
ns
t PU
Chip Enable to Power Up Time (2,5)
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t PD
Chip Disable to Power Down Time
(2,5)
____
15
____
17
____
20
____
25
ns
t SOP
t SAA
Semaphore Flag Update Pulse (OE or SEM)
Semaphore Address Access Time
10
____
____
15
10
____
____
17
10
____
____
20
10
____
____
25
ns
ns
2738 tbl 13a
7005X35
Com'l, Ind
& Military
7005X55
Com'l, Ind
& Military
IDT7005X70
Military
Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
Read Cycle Time
Address Access Time
35
____
____
35
55
____
____
55
70
____
____
70
ns
ns
t ACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
35
____
55
____
70
ns
t AOE
t OH
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
____
3
20
____
____
3
30
____
____
3
35
____
ns
ns
t LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
3
____
ns
t HZ
t PU
Output High-Z Time (1,2)
Chip Enab le to Power Up Time (2,5)
____
0
15
____
____
0
25
____
____
0
30
____
ns
ns
t PD
Chip Disable to Power Down Time
(2,5)
____
35
____
50
____
50
ns
t SOP
t SAA
Semaphore Flag Update Pulse (OE or SEM)
Semaphore Address Access Time
15
____
____
35
15
____
____
55
15
____
____
70
ns
ns
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High impedance voltage with load (Figures 1 and 2).
2. This parameter is guaranteed but not production tested.
3. To access RAM, CE = V IL and SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH and SEM = V IL .
4. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
7
6.42
2738 tbl 13b
相关PDF资料
PDF描述
IDT7006L55G IC SRAM 128KBIT 55NS 68PGA
IDT7007L20G IC SRAM 256KBIT 20NS 68PGA
IDT7008L25G IC SRAM 512KBIT 25NS 84PGA
IDT7009L20PFI IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP
IDT70125L25JG IC SRAM 18KBIT 25NS 52PLCC
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT7005S35GB 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 64KBIT 35NS 68PGA
IDT7005S35J 功能描述:IC SRAM 64KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT7005S35J8 功能描述:IC SRAM 64KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT7005S35JB 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:HIGH-SPEED 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7005S35JG 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*