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参数资料
| 型号： | IDT7006L15PFG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 15NS 64TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 128K (16K x 8) |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 7006L15PFG8 |
IDT7006S/L
High-Speed 16K x 8 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the 0perating
Temperature and Supply Voltage Range (V CC = 5.0V ± 10%)
7006S
7006L
Input Leakage Current
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
(1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V CC = 5.5V, V IN = 0V to V CC
CE = V IH , V OUT = 0V to V CC
I OL = 4mA
I OH = -4mA
Min.
___
___
___
2.4
Max.
10
10
0.4
___
Min.
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
NOTE:
1. At Vcc < 2.0V input leakages are undefined.
Data Retention Characteristics Over All Temperature Ranges
(L Version Only) (V LC = 0.2V, V HC = V CC - 0.2V)
2739 tbl 08
Symbol
V DR
Parameter
V CC for Data Retention
V CC = 2 V
Test Condition
Min.
2.0
Typ.
___
(1)
Max.
___
Unit
V
I CCDR
Data Retention Current
CE > V HC
Mil. & Ind.
___
100
4000
μA
V IN > V HC or < V LC
Com'l.
___
100
1500
t CDR (3)
t R (3)
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
SEM > V HC
0
t RC (2)
___
___
___
___
ns
ns
NOTES:
1. T A = +25°C, V CC = 2V, and are not production tested.
2. t RC = Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed by characterization, but is not production tested.
Data Retention Waveform
DATA RETENTION MODE
2739 tbl 09
V CC
CE
4.5V
t CDR
V IH
V DR > 2V
V DR
4.5V
t R
V IH
2739 drw 05
5
6.42
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PDF描述 |
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