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参数资料
| 型号： | IDT70121S55J |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 18KBIT 55NS 52PLCC |
| 标准包装： | 24 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 18K（2K x 9） |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 52-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 52-PLCC（19x19） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 70121S55J |
IDT70121/IDT70125
High-Speed 2K x 9 Dual-Port Static RAM with Busy & Interrupt
Data Retention Characteristics (L Version Only)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Symbol
V DR
Parameter
V CC for Data Retention
Test Condition
Min.
2.0
Typ. (1)
___
Max.
___
Unit
V
I CCDR
t CDR (3)
t R (3)
Data Retention Current
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
V CC = 2V, CE > V CC - 0.2V
V IN > V CC - 0.2V or V IN < 0.2
IND.
COM'L.
___
___
t RC (2)
100
100
___
4000
1500
___
μA
V
2654 tbl 07
NOTES:
1. V CC = 2V, T A = +25°C, and are not production tested.
2. t RC = Read Cycle Time.
3. This parameter is guaranteed but is not production tested.
Data Retention Waveform
DATA RETENTION MODE
Vcc
CE
4.5V
t CDR
V IH
V DR ≥ 2V
V DR
4.5V
t R
V IH
2654 drw 03
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
3ns
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
2654 tbl 08
DATA OUT
BUSY
5V
1250 ?
DATA OUT
5V
1250 ?
INT
775 ?
30pF
775 ?
5pF*
2654 drw 04
Figure 1. AC Output Test Load
5
Figure 2. Output Test Load
(For t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
*Including scope and jig.
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PDF描述 |
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