- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录328 > IDT7019L20PFI (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IDT7019L20PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 1.125M（128K x 9） |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7019L20PFI |
IDT7019L
High-Speed 128K x 9 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read and BUSY (M/ S = V IH ) (2,4,5)
t WC
ADDR "A"
MATCH
t WP
R/ W "A"
DATA IN "A"
t DW
VALID
t DH
ADDR "B"
t APS
(1)
MATCH
BUSY "B"
t WDD
t BDA
t BDD
DATA OUT "B"
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t APS is ignored for M/ S = V IL (SLAVE).
t DDD
(3)
VALID
4840 drw 11
2. CE L = CE R = V IL, refer to Chip Enable Truth Table.
3. OE = V IL for the reading port.
4. If M/ S = V IL (SLAVE), BUSY is an input. Then for this example BUSY "A" = V IH and BUSY "B" input is shown above.
5. All timing is the same for left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is the port opposite from port "A".
Timing Waveform of Write with BUSY (M/ S = V IL )
t WP
R/ W "A"
t WB (3)
BUSY "B"
t WH (1)
R/ W "B"
(2)
NOTES:
1. t WH must be met for both BUSY input (SLAVE) and output (MASTER).
2. BUSY is asserted on port "B" blocking R/W "B" , until BUSY "B" goes HIGH.
3. t WB is only for the 'Slave' version.
11
6.42
4840 drw 12
.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7024L55G | IC SRAM 64KBIT 55NS 84PGA |
| IDT7025L55G | IC SRAM 128KBIT 55NS 84PGA |
| IDT70261L20PFI | IC SRAM 256KBIT 20NS 100TQFP |
| IDT7026L20G | IC SRAM 256KBIT 20NS 84PGA |
| IDT7027L25G | IC SRAM 512KBIT 25NS 108PGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7019L20PFI8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7024L15J | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 15NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT7024L15J8 | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 15NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT7024L15JG | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 15NS 84PLCC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT7024L15JG8 | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 15NS 84PLCC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。