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参数资料
| 型号： | IDT70261S15PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70261S15PF8 |
IDT70261S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (4)
70261X15
Com'l Only
70261X20
Com'l & Ind
70261X25
Com'l & Ind
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
Read Cycle Time
Address Access Time
15
____
____
15
20
____
____
20
25
____
____
25
ns
ns
t ACE
t ABE
Chip Enable Access Time
Byte Enable Access Time
(3)
(3)
____
____
15
15
____
____
20
20
____
____
25
25
ns
ns
t AOE
t OH
t LZ
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
Output Low-Z Time (1,2)
____
3
3
10
____
____
____
3
3
12
____
____
____
3
3
13
____
____
ns
ns
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
10
____
12
____
15
ns
t PU
Chip Enable to Power Up Time
(2)
0
____
0
____
0
____
ns
t PD
Chip Disable to Power Down Time
(2)
____
15
____
20
____
25
ns
t SOP
t SAA
Semaphore Flag Update Pulse ( OE or SEM )
Semaphore Address Access Time
10
____
____
15
10
____
____
20
12
____
____
25
ns
ns
3039 tbl 12a
70261X35
Com'l Only
70261X55
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
Read Cycle Time
Address Access Time
35
____
____
35
55
____
____
55
ns
ns
t ACE
t ABE
Chip Enable Access Time
Byte Enable Access Time
(3)
(3)
____
____
35
35
____
____
55
55
ns
ns
t AOE
t OH
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
____
3
20
____
____
3
30
____
ns
ns
t LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
15
____
25
ns
t PU
Chip Enable to Power Up Time
(2)
0
____
0
____
ns
t PD
t SOP
t SAA
Chip Disable to Power Down Time (2)
Semaphore Flag Update Pulse ( OE or SEM )
Semaphore Address Access Time
____
15
____
35
____
35
____
15
____
50
____
55
ns
ns
ns
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM, CE = V IL and SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH and SEM = V IL .
4. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
6.42
3039 tbl 12b
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