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参数资料
| 型号： | IDT70261S55PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 55NS 100TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70261S55PF |
IDT70261S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt
Waveform of Read Cycles (5)
t RC
ADDR
Industrial and Commercial Temperature Ranges
CE
t AA (4)
(4)
t ACE
OE
t AOE
(4)
UB, LB
R/ W
t ABE
t LZ (1)
(4)
t OH
DATA OUT
BUSY OUT
t BDD (3, 4)
VALID DATA
(4)
t HZ
(2)
3039 drw 05
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last, OE , CE , LB , or UB .
2. Timing depends on which signal is de-asserted first CE , OE , LB , or UB .
3. t BDD delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations BUSY
has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t AOE , t ACE , t AA or t BDD .
5. SEM = V IH .
Timing of Power-Up Power-Down
CE
I CC
I SB
t PU
50%
7
6.42
t PD
50%
3039 drw 06
,
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7007S55PF | IC SRAM 256KBIT 55NS 80TQFP |
| IDT7052S20PF8 | IC SRAM 16KBIT 20NS 120TQFP |
| IDT70V9179L12PF | IC SRAM 288KBIT 12NS 100TQFP |
| FMC44DRYI-S93 | CONN EDGECARD 88POS .100 DIP SLD |
| FMM43DSEI-S13 | CONN EDGECARD 86POS .156 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70261S55PF/SCD2703 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述: |
| IDT70261S55PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70261S55PFG | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 100TQFP |
| IDT7026L15J | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7026L15J8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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