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参数资料
| 型号： | IDT7026S35J8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 35NS 84PLCC |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 84-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 84-PLCC（29.21x29.21） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 7026S35J8 |
IDT7026S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Semaphore Read after Write Timing, Either Side (1)
t SAA
t OH
A 0 -A 2
VALID ADDRESS
VALID ADDRESS
SEM
t AW
t EW
t WR
t SOP
t ACE
t DW
I/O 0
DATA IN
VALID
DATA OUT
VALID (2)
R/ W
OE
t AS
t WP
Write Cycle
t DH
t SWRD
Read Cycle
t AOE
2939 drw 10
NOTES:
1. CE = V IH or UB and LB = V IH for the duration of the above timing (both write and read cycle).
2. "DATA OUT VALID" represents all I/O's (I/O 0 -I/O 15 ) equal to the semaphore value.
Timing Waveform of Semaphore Write Contention (1,3,4)
A 0"A" -A 2"A"
MATCH
(2)
SIDE
(2)
SIDE
"A"
"B"
R/ W "A"
SEM "A"
A 0"B" -A 2"B"
R/ W "B"
SEM "B"
t SPS
MATCH
,
2939 drw 11
NOTES:
1. D OR = D OL = V IL , CE R = CE L = V IH , or both UB & LB = V IH .
2. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either left or right port. Port “B” is the opposite from port “A”.
3. This parameter is measured from R/ W "A" or SEM "A" going HIGH to R/ W "B" or SEM "B" going HIGH.
4. If t SPS is not satisfied, there is no guarantee which side will be granted the semaphore flag.
11
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IDT7026S20J8 | IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IDT7026S55JI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7026S55JI8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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