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参数资料
| 型号： | IDT7026S55JI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 84-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 84-PLCC（29.21x29.21） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 7026S55JI8 |
IDT7026S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM
Recommended DC Operating
Conditions
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Symbol
V CC
GND
V IH
V IL
Parameter
Supply Voltage
Ground
Input High Voltage
Input Low Voltage
Min.
4.5
0
2.2
-0.5 (1)
Typ.
5.0
0
____
____
Max.
5.5
0
6.0 (2)
0.8
Unit
V
V
V
V
2939 tbl 07
NOTES:
1. V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. V TERM must not exceed Vcc + 10%.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Soltage Range (V CC = 5.0V ± 10%)
7026S
7026L
Input Leakage Current
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
(1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V CC = 5.5V, V IN = 0V to V CC
CE = V IH , V OUT = 0V to V CC
I OL = 4mA
I OH = -4mA
Min.
___
___
___
2.4
Max.
10
10
0.4
___
Min.
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
NOTE:
1. At Vcc = 2.0V, input leakages are undefined.
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
3ns
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
2939 tbl 09
2939 tbl 08
DATA OUT
BUSY
5V
893 ?
DATA OUT
5V
893 ?
347 ?
30pF
347 ?
5pF*
,
2939 drw 04
Figure 1. AC Output Test Load
5
6.42
2939 drw 05
Figure 2. Output Test Load
(for t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
* Including scope and jig.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7026S35J8 | IC SRAM 256KBIT 35NS 84PLCC |
| IDT7026S25J8 | IC SRAM 256KBIT 25NS 84PLCC |
| IDT7026S20J8 | IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC |
| IDT70V35L25PF | IC SRAM 144KBIT 25NS 100TQFP |
| IDT70V35L20PF | IC SRAM 144KBIT 20NS 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7027L15PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7027L15PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7027L15PFG | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7027L15PFG8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7027L20PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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