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参数资料
型号： IDT7037
厂商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
中文描述： 高速32K的× 18 DUAL-PORT静态RAM
文件页数： 5/17页
文件大小： 150K
代理商： IDT7037
6.42
IDT7037L
High-Speed 32K x 18 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
740;40
$/123
#
3
%')3<=#
NOTES:
1. At Vcc < 2.0V, input leakages are undefined.
2. Refer to Chip Enable Truth Table.
Symbol
Parameter
Test Conditions
7037L
Unit
Mn.
Max.
|
LI
|
Input Leakage Current
(1)
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V to V
CC
___
5
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V to V
CC
___
5
μA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 4mA
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -4mA
2.4
___
V
4838 tbl 09
NOTES:
1. V
CC
= 5V, T
A
= +25
°
C, and are not production tested. I
CCDC
= 120mA (Typ.)
2. At f = f
MAX
,
address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximumfrequency read cycle of 1/t
RC,
and using
“
AC Test Conditions
”
of input levels
of GND to 3V.
3. f = 0 means no address or control lines change.
4. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite fromport "A".
5. Refer to Chip Enable Truth Table.
6. Industrial Temperature: for specific speeds, packages and powers contact your sales office.
740;40
$/123
!>!#
3
%')3<=#
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
7037L15
Com'l Only
Typ.
(1)
Max
7037L20
Com'l Only
Typ.
(1)
Max
Unit
I
CC
Dynamc Operating
Current
(Both Ports Active)
CE
= V
IL
, Outputs Disabled
SEM
= V
IH
f = f
MAX
(2)
COML
L
220
340
200
300
mA
IND
L
____
____
____
____
I
SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL Level
Inputs)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
MAX
(2)
COML
L
65
100
50
75
mA
IND
L
____
____
____
____
I
SB2
Standby Current
(One Port - TTL Level
Inputs)
CE
"A"
= V
IL
and
CE
"B"
= V
IH
(4)
Active Port Outputs Disabled,
f=f
MAX
(2)
,
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
COML
L
145
225
130
195
mA
IND
L
____
____
____
____
I
SB3
Full Standby Current
(Both Ports - All CMOS
Level Inputs)
Both Ports
CE
L
and
CE
R
> V
CC
- 0.2V, V
IN
> V
CC
- 0.2V
or V
IN
< 0.2V, f = 0
(3)
SEM
R
=
SEM
L
> V
CC
- 0.2V
COML
L
0.2
3.0
0.2
3.0
mA
IND
L
____
____
____
____
I
SB4
Full Standby Current
(One Port - All CMOS
Level Inputs)
CE
"A"
< 0.2V and
CE
"B"
> V
- 0.2V
(4)
,
SEM
R
=
SEM
L
> V
CC
- 0.2V,
V
IN
> V
CC
- 0.2V or V
IN
< 0.2V, Active Port
Outputs Disabled, f = f
MAX
COML
L
135
220
120
190
mA
IND
L
____
____
____
____
4838 tbl 10
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PDF描述
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IDT7037L20PF 功能描述:IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT7037L20PF8 功能描述:IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT7037L20PFI 功能描述:IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
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