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参数资料
| 型号： | IDT7038L20PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 1.125M（64K x 18） |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7038L20PFI |
IDT7038L
High-Speed 64K x 18 Dual-Port Static RAM
Pin Names
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Left Port
CE 0L , CE 1L
R/ W L
OE L
A 0L - A 15L
I/O 0L - I/O 17L
SEM L
UB L
LB L
INT L
BUSY L
Right Port
CE 0R , CE 1R
R/ W R
OE R
A 0R - A 15R
I/O 0R - I/O 17R
SEM R
UB R
LB R
INT R
BUSY R
M/ S
V CC
GND
Names
Chip Enables
Read/Write Enable
Output Enable
Address
Data Input/Output
Semaphore Enable
Upper Byte Select
Lower Byte Select
Interrupt Flag
Busy Flag
Master or Slave Select
Power
Ground
4837 tbl 01
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Commercial Military
& Industrial
Unit
Recommended DC Operating
Conditions
V TERM (2)
Terminal Voltage
-0.5 to +7.0
-0.5 to +7.0
V
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
with Respect
to GND
V CC
Supply Voltage
4.5
5.0
5.5
V
T BIAS
Temperature
-55 to +125
-65 to +135
o
C
GND
Ground
0
0
0
V
6.0
Under Bias
V IH
Input High Voltage
2.2
____
(2)
V
-0.5
T STG
Storage
Temperature
-65 to +150
-65 to +150
o
C
V IL
Input Low Voltage
(1)
____
0.8
V
I OUT
DC Output Current
50
50
mA
NOTES:
4837 tbl 04
NOTES:
4837 tbl 02
1. V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. V TERM must not exceed Vcc + 10%.
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect
reliability.
2. V TERM must not exceed Vcc + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > Vcc + 10%.
Capacitance
(T A = +25°C, f = 1.0MHz)
Maximum Operating Temperature
and Supply Voltage
Symbol
C IN
C OUT
Parameter (1)
Input Capacitance
Output Capacitance
Conditions (2)
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
9
10
Unit
pF
pF
Grade
Ambient
Temperature (1)
GND
Vcc
NOTES:
4837 tbl 05
-55 C to +125 C
0 C to +70 C
-40 C to +85 C
Military
Commercial
Industrial
O O
O O
O O
0V
0V
0V
5.0V + 10%
5.0V + 10%
5.0V + 10%
1. This parameter is determined by device characterization but is not production
tested.
2. 3dV represents the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.
NOTES:
4837 tbl 03
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
3
6.42
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