参数资料
型号: IDT707288S
厂商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-SO 0 to 70
中文描述: 高速64K的× 16 BANK-SWITC哈布莱双端口SRAM与外部银行选择
文件页数: 6/6页
文件大小: 65K
代理商: IDT707288S
IDT707288S/L
64K x 16 BANK-SWITCHABLE DUAL-PORTED SRAM WITH EXTERNAL BANK SELECTS
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
6.29
6
ORDERING INFORMATION
A
Power
999
Speed
A
Package
A
Process/
Temperature
Range
Blank
Commercial (0
°
C to +70
°
C)
PF
G
100-pin TQFP (PN100-1)
108-pin PGA (G108-1)
20
25
S
L
Standard Power
Low Power
XXXXX
Device
Type
1Mbit (4 x 16K x 16)
Bank-Switchable Dual-Ported SRAM
with External Bank Selects
707288
IDT
3592 drw 19
Commercial Only
Commercial Only
Speed in nanoseconds
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PDF描述
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参数描述
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IDT70824L20PF 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT70824L20PF8 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT70824L25G 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
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