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参数资料
| 型号： | IDT709099L9PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 14/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 9NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 9ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 709099L9PFI |
IDT709099L
High-Speed 128K x 8 Synchronous Pipelined Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
A Functional Description
The IDT709099 provides a true synchronous Dual-Port Static
RAM interface. Registered inputs provide minimal set-up and hold
times on address, data, and all critical control inputs. All internal
registers are clocked on the rising edge of the clock signal, however,
the self-timed internal write pulse is independent of the LOW to HIGH
transition of the clock signal.
An asynchronous output enable is provided to ease asynchronous
bus interfacing. Counter enable inputs are also provided to stall the
operation of the address counters for fast interleaved memory appli-
cations.
CE 0 = V IL or CE 1 = V IL for one clock cycle will power down the
internal circuitry to reduce static power consumption. Multiple chip
enables allow easier banking of multiple IDT709099's for depth
expansion configurations. When the Pipelined output mode is en-
abled, two cycles are required with CE 0 = V IL and CE 1 = V IH to re-
activate the outputs.
A 17
Depth and Width Expansion
The IDT709099 features dual chip enables (refer to Truth Table I)
in order to facilitate rapid and simple depth expansion with no require-
ments for external logic. Figure 4 illustrates how to control the various
chip enables in order to expand two devices in depth.
The 709099 can also be used in applications requiring expanded
width, as indicated in Figure 4. Since the banks are allocated at the
discretion of the user, the external controller can be set up to drive the
input signals for the various devices as required to allow for 16-bit
or wider applications.
IDT709099
CE 0
IDT709099
CE 0
Control Inputs
CE 1
V CC
Control Inputs
CE 1
V CC
IDT709099
Control Inputs
CE 1
CE 0
IDT709099
Control Inputs
CE 1
CE 0
CNTRST
CLK
ADS
CNTEN
Figure 4. Depth and Width Expansion with IDT709099
14
6.42
4846 drw 19
R/ W
OE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT709149S10PFI | IC SRAM 36KBIT 10NS 80TQFP |
| IDT70914S12PF | IC SRAM 36KBIT 12NS 80TQFP |
| IDT709169L7BFI | IC SRAM 144KBIT 7NS 100FBGA |
| IDT709279L9PFG | IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP |
| IDT709289L9PFI | IC SRAM 1MBIT 9NS 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT709099L9PFI8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT709149S10PF | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 10NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT709149S10PF8 | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 10NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT709149S10PFI | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 10NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT709149S10PFI8 | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 10NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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