参数资料
型号: IDT709149S12PF8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 1/10页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 36KBIT 12NS 80TQFP
标准包装: 750
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 36K(4K x 9)
速度: 12ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 80-LQFP
供应商设备封装: 80-TQFP(14x14)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 709149S12PF8
Features
HIGH-SPEED 36K (4K x 9-BIT)
SYNCHRONOUS PIPELINED
DUAL-PORT SRAM
IDT709149S
Architecture based on Dual-Port SRAM cells
– Allows full simultaneous access from both ports
High-speed clock-to-data output times
– Commercial: 8/10/12ns (max.)
– Industrial: 10ns (max.)
Low-power operation
– IDT709149S
Active: 1500mW (typ.)
Standby: 75mW (typ.)
4K X 9 bits
Synchronous operation
– 4ns setup to clock, 1ns hold on all control, data, and
address inputs
– Data input, address, and control registers
– Fast 8ns clock to data out
13ns cycle time, 76MHz operation in pipeline mode
– Self-timed write allows for fast cycle times
TTL-compatible, singles 5V (±10%) power supply
Clock Enable feature
Guaranteed data output hold times
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds.
Functional Block Diagram
MEMORY
I/O 0-8L
OE L
WRITE
LOGIC
SENSE
AMPS
MEMOR
Y ARRAY
ARRAY
DECODER DECODER
REG
REG
en
en
WRITE
LOGIC
SENSE
AMPS
0/1
0
1
I/O 0-8R
FT/PIPED R
OE R
CLK L
CLKEN L
CLK R
CLKEN R
R/ W L
REG
Self-
timed
Write
Logic
Self-
timed
Write
Logic
REG
R/ W R
CE L
A 0L -A 11L A 0R -A 11R
CE R
3494 drw 01
JANUARY 2009
1
?2009 Integrated Device Technology, Inc.
DSC-3494/6
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