- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4023 > IDT70914S15J (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 36KBIT 15NS 68PLCC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70914S15J |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 36KBIT 15NS 68PLCC |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 36K（4K x 9） |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 68-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 68-PLCC（24x24） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 70914S15J |
IDT70914S
High-Speed 36K (4K x 9) Synchronous Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Read-to-Write Cycle No. 1 (1,2) (t CYC = min.)
t CYC
t CYC
CLK
t CH
t CL
t CH
t CL
CLKEN
t S
t H
CE
R/ W
(1)
ADDRESS
An
An + 1
An + 1
(1)
An + 2
Dn + 1
DATA IN
DATA OUT
t CD
Qn
t CKHZ (3)
(1)
Dn + 2
t CKLZ (3)
3490 drw 10
Timing Waveform of Read-to-Write Cycle No. 2 (4) (t CYC > min.)
t CYC
(4)
CLK
CLKEN
CE
R/ W
t CH
t CL
t S
t H
ADDRESS
DATA IN
An
t CD
An + 1
Dn + 1
DATA OUT
t CKLZ
(3)
Qn
t OHZ
OE
3490 drw 11
NOTES:
1. For t CYC = min.; data out coincident with the rising edge of the subsequent write clock can occur. To ensure writing to the correct address location, the write must
be repeated on the second write clock rising edge. If CE = V IL , invalid data will be written into array. The An+1 must be rewritten on the following cycle.
2. OE LOW throughout.
3. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
4. For t CYC > min.; OE may be used to avoid data out coincident with the rising edge of the subsequent write clock. Use of OE will eliminate the need for the write to
be repeated.
9
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V26L55J8 | IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC |
| IDT7026L55J8 | IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC |
| IDT70V261L25PFI8 | IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP |
| IDT70V261L25PFGI8 | IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP |
| IDT70V07L25PFI8 | IC SRAM 256KBIT 25NS 80TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70914S15J8 | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 15NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70914S15JI | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 15NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70914S15JI8 | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 15NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70914S15PF | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 15NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70914S15PF8 | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 15NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。