- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4035 > IDT70P5258ML55BZI8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70P5258ML55BZI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA |
| 标准包装： | 2,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 三端口，异步 |
| 存储容量： | 128K（8K x 16） |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 144-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 144-CABGA（7x7） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70P5258ML55BZI8 |
IDT70X525XML
Low Power 4K x 8 TriPort Static RAM
Absolute Maximum Ratings (1)
Preliminary
Industrial Temperature Range
S y m b o l
V T E R M
V T E R M
V T E R M ( 2 )
R a t i n g
S u p p l y V o l t a g e o n V DD
w i t h R e s p e c t t o G N D
S u p p l y V o l t a g e o n V DDQ
w i t h R e s p e c t t o G N D
T e r m i n a l V o l t a g e
w i t h R e s p e c t t o G N D
I n d u s t r i a l
- 0 . 5 t o + 2 . 9
- 0 . 5 t o + 3 . 6
- 0 . 5 t o V DD + 0 . 3 ( 4 )
U n i t
V
V
V
T B I A S ( 3 )
T S T G
T J N
T e m p e r a t u r e U n d e r B i a s
S t o r a g e T e m p e r a t u r e
J u n c t i o n T e m p e r a t u e
- 5 5 t o + 1 2 5
- 6 5 t o + 1 5 0
+ 1 5 0
o
o
o
C
C
C
I O U T
( f o r 7 0 V 5 2 5 )
I O U T
( f o r 7 0 P 5 2 5
a n d 7 0 P 5 2 5 8 )
D C O u t p u t C u r r e n t
D C O u t p u t C u r r e n t
5 0
2 0
m A
m A
5 6 8 1 t b l 0 5
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause
permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this
specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended
periods may affect reliability.
2. V TERM must not exceed V DD + 10% for Port 1 or V DDQ + 10% for Port 2 and Port 3 for more than
25% of the cycle time or 10ns maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > V DD
+ 10% (Port 1) or V DDQ + 10% (Port 2 and Port 3).
3. Ambient Temperature under DC Bias. No AC Conditions. Chip Deselected.
4. V DDQ + 0.3V for 70P5258.
Recommended DC Operating Conditions
Symbol
Device
Port
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
70P5258
1.7
1.8
1.9
V DD
70P525
All
Supply Voltage
1.7
1.8
1.9
V
70V525
2.7
3
3.3
70P5258
Port 2 & 3
2.7
3
3.3
V DDQ
70P525
N/A
I/O Supply Voltage (1)
____
____
____
V
70V525
N/A
____
____
____
V SS
All
All
Ground
0
0
0
V
Port 1
1.2
____
V DD +0.2
70P5258
V IH
Port 2 & 3
Input High Voltage
2
____
V DDQ +0.2
V
70P525
70V525
All
All
Port 1
1.2
2
-0.2
____
____
____
V DD +0.2
V DD +0.2
0.4
70P5258
V IL
Port 2 & 3
Input Low Voltage
-0.2
____
0.6
V
70P525
70V525
All
All
-0.2
-0.2
____
____
0.4
0.6
5681 tbl 02
NOTES:
1. The supply voltage for all ports on the IDT70P525 and IDT70V525 is supplied by V DD so there are no V DDQ pins
on these devices.
2. V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
3. V TERM must not exceed V DD + 10% for Port 1 or V DDQ + 10% for Port 2 and Port 3.
5
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPC8560VT667LC | IC MPU POWERQUICC III 783-FCPBGA |
| XC4020XL-2PQ240C | IC FPGA C-TEMP 3.3V 2SPD 240PQFP |
| XC4020XL-2PQ208I | IC FPGA I-TEMP 3.3V 2SPD 208PQFP |
| XC4020XL-2PQ208C | IC FPGA C-TEMP 3.3V 2SPD 208PQFP |
| MPC8572ECLVTAULE | MPU POWERQUICC III 1023FCPBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70P525ML55BZGI | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70P525ML55BZI | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70P525ML55BZI8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 144FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70P9268L50BYGI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 50MHZ 100FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70P9268L50BYGI8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 50MHZ 100FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。