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参数资料
| 型号： | IDT70T3319S133BF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA |
| 标准包装： | 7 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3319S133BF |
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IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM
Description:
The IDT70T3339/19/99 is a high-speed 512/256/128k x 18 bit
synchronous Dual-Port RAM. The memory array utilizes Dual-Port
memory cells to allow simultaneous access of any address from both ports.
Registers on control, data, and address inputs provide minimal setup and
hold times. The timing latitude provided by this approach allows systems
to be designed with very short cycle times. With an input data register, the
Industrial and Commercial Temperature Ranges
tional or bidirectional data flow in bursts. An automatic power down feature,
controlled by CE 0 and CE 1, permits the on-chip circuitry of each port to
enter a very low standby power mode.
The IDT70T3339/19/99 can support an operating voltage of either
3.3V or 2.5V on one or both ports, controllable by the OPT pins. The power
supply for the core of the device (V DD ) is at 2.5V.
IDT70T3339/19/99 has been optimized for applications having unidirec-
6.42
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参数描述 |
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