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参数资料
| 型号： | IDT70T3399S166DD |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 2MBIT 166MHZ 144TQFP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 2M（128K x 18） |
| 速度： | 166MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 144-LQFP 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 144-TQFP（20x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3399S166DD |
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IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM
Truth Table I—Read/Write and Enable Control
Industrial and Commercial Temperature Ranges
(1,2,3,4)
Upper Byte
Lower Byte
OE
X
X
X
X
X
X
L
L
L
H
X
CLK
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
X
CE 0
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
X
CE 1
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
X
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
L
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
L
X
R/ W
X
X
X
L
L
L
H
H
H
X
X
ZZ
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
I/O 9-17
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
D IN
D IN
High-Z
D OUT
D OUT
High-Z
High-Z
I/O 0-8
High-Z
High-Z
High-Z
D IN
High-Z
D IN
D OUT
High-Z
D OUT
High-Z
High-Z
MODE
Deselected–Power Down
Deselected–Power Down
Both Bytes Deselected
Write to Lower Byte Only
Write to Upper Byte Only
Write to Both Bytes
Read Lower Byte Only
Read Upper Byte Only
Read Both Bytes
Outputs Disabled
Sleep Mode
NOTES:
1. "H" = V IH, "L" = V IL, "X" = Don't Care.
2. ADS , CNTEN , REPEAT = X.
3. OE and ZZ are asynchronous input signals.
4. It is possible to read or write any combination of bytes during a given access. A few representative samples have been illustrated here.
5652 tbl 02
Truth Table II—Address Counter Control
(1,2)
Previous
Internal
L
L
Address
An
X
X
X
Internal
Address
X
An
An + 1
X
Address
Used
An
An + 1
An + 1
An
CLK
↑
↑
↑
↑
ADS
L (4)
H
H
X
CNTEN
X
(5)
H
X
REPEAT (6)
H
H
H
(4)
I/O (3)
D I/O (n)
D I/O (n+1)
D I/O (n+1)
D I/O (n)
MODE
External Address Used
Counter Enabled —Internal Address generation
External Address Blocked —Counter disabled (An + 1 reused)
Counter Set to last valid ADS load
NOTES:
5652 tbl 03
1. "H" = V IH, "L" = V IL, "X" = Don't Care.
2. Read and write operations are controlled by the appropriate setting of R/ W , CE 0 , CE 1 , UB , LB and OE .
3. Outputs configured in flow-through output mode: if outputs are in pipelined mode the data out will be delayed by one cycle.
4. ADS and REPEAT are independent of all other memory control signals including CE 0 , CE 1 , UB and LB .
5. The address counter advances if CNTEN = V IL on the rising edge of CLK, regardless of all other memory control signals including CE 0 , CE 1 , UB and LB .
6. When REPEAT is asserted, the counter will reset to the last valid address loaded via ADS . This value is not set at power-up: a known location should be loaded
via ADS during initialization if desired. Any subsequent ADS access during operations will update the REPEAT address location.
6.42
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT70T3399S200BC8 | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 200MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T34L20BF | 功能描述:IC SRAM 72KBIT 20NS 100FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
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