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参数资料
| 型号： | IDT70T3519S133BCI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70T3519S133BCI8 |
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IDT70T3519/99/89S
High-Speed 2.5V 256/128/64K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (3) (V DD = 2.5V ± 100mV)
70T3519/99/89
S200
Com'l Only (8)
70T3519/99/89
S166
Com'l
& Ind (7)
70T3519/99/89
S133
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Unit
I DD
I SB1 (6)
I SB2 (6)
I SB3
I SB4 (6)
Izz
Dynamic Operating
Current (Both
Ports Active)
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
Full Standby Current
(Both Ports - CMOS
Level Inputs)
Full Standby Current
(One Port - CMOS
Level Inputs)
Sleep Mode Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE L and CE R = V IL ,
Outputs Disabled,
f = f MAX (1)
CE L = CE R = V IH
f = f MAX (1)
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (1)
Both Ports CE L and
CE R > V DDQ - 0.2V, V IN > V DDQ - 0.2V
or V IN < 0.2V, f = 0 (2)
CE "A" < 0.2V and CE "B" > V DDQ - 0.2V (5)
V IN > V DDQ - 0.2V or V IN < 0.2V
Active Port, Outputs Disabled, f = f MAX (1)
ZZ L = ZZ R = V IH
f=f MAX (1)
COM'L
IND
COM'L
IND
COM'L
IND
COM'L
IND
COM'L
IND
COM'L
IND
S
S
S
S
S
S
S
S
S
S
S
S
375
___
205
___
300
___
5
___
300
___
5
___
525
___
270
___
375
___
15
___
375
___
15
___
320
320
175
175
250
250
5
5
250
250
5
5
450
510
230
275
325
365
15
20
325
365
15
20
260
260
140
140
200
200
5
5
200
200
5
5
370
450
190
235
250
310
15
20
250
310
15
20
mA
mA
mA
mA
mA
mA
NOTES:
5666 tbl 09
1. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency clock cycle of 1/t CYC , using "AC TEST CONDITIONS".
2. f = 0 means no address, clock, or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
4. V DD = 2.5V, T A = 25°C for Typ, and are not production tested. I DD DC (f=0) = 15mA (Typ).
5. CE X = V IL means CE 0X = V IL and CE 1X = V IH
CE X = V IH means CE 0X = V IH or CE 1X = V IL
CE X < 0.2V means CE 0X < 0.2V and CE 1X > V DDQ - 0.2V
CE X > V DDQ - 0.2V means CE 0X > V DDQ - 0.2V or CE 1X - 0.2V
"X" represents "L" for left port or "R" for right port.
6. I SB1 , I SB2 and I SB4 will all reach full standby levels ( I SB3) on the appropriate port(s) if ZZ L and/or ZZ R = V IH .
7. 166MHz I-Temp is not available in the BF208 package.
8. 200Mhz is not available in the BF208 and DR208 packages.
10
6.42
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