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参数资料
| 型号： | IDT70T3519S133BFGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA |
| 标准包装： | 7 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 1254 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 70T3519S133BFGI 800-1380 |
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IDT70T3519/99/89S
High-Speed 2.5V 256/128/64K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
AC Test Conditions (V DDQ - 3.3V/2.5V)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Input Pulse Levels (Address & Controls)
Input Pulse Levels (I/Os)
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3 . 0V/GND to 2.4V
GND to 3.0V/GND to 2.4V
2ns
1.5V/1.25V
1.5V/1.25V
Figure 1
5666 tbl 10
DATA OUT
50 Ω
50 Ω
1.5V/1.25
,
10pF
Δ tCD
(Typical, ns)
(Tester)
Figure 1. AC Output Test load.
Δ Capacitance (pF) from AC Test Load
11
6.42
5666 drw 03
5666 drw 04
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PDF描述 |
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