- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3950 > IDT70T3519S133BFGI (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70T3519S133BFGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 19/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA |
| 标准包装： | 7 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 1254 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 70T3519S133BFGI 800-1380 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页当前第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页
IDT70T3519/99/89S
High-Speed 2.5V 256/128/64K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write with Address Counter Advance
(Flow-through or Pipelined Inputs) (1)
t CYC2
CLK
t CH2
t CL2
t SA
t HA
ADDRESS
An
INTERNAL (3)
ADDRESS
An (7)
An + 1
An + 2
An + 3
An + 4
t SAD t HAD
ADS
t SCN t HCN
CNTEN
t SD t HD
DATA IN
Dn
Dn + 1
Dn + 1
Dn + 2
Dn + 3
Dn + 4
WRITE
EXTERNAL
ADDRESS
WRITE WRITE
WITH COUNTER COUNTER HOLD
WRITE WITH COUNTER
5666 drw 17
Timing Waveform of Counter Repeat
t CYC2
CLK
t SA t HA
(2,6)
ADDRESS
An
INTERNAL
ADDRESS
(3)
An
An+1
An+2
An+2
An
An+1
An+2
An+2
t SAD t HAD
ADS
t SW t HW
R/ W
t SCN t HCN
CNTEN
REPEAT
(4)
t SRPT t HRPT
t SD t HD
DATA IN
D 0
D 1
D 2
D 3
t CD1
DATA OUT
An
An+1
An+2
An+2
,
WRITE TO ADVANCE
ADS COUNTER
ADDRESS WRITE TO
An An+1
NOTES:
1. CE 0 , BE n , and R/ W = V IL ; CE 1 and REPEAT = V IH .
ADVANCE
COUNTER
WRITE TO
An+2
HOLD
COUNTER
WRITE TO
An+2
REPEAT
READ LAST
ADS
ADDRESS
An
ADVANCE
COUNTER
READ
An+1
ADVANCE
COUNTER
READ
An+2
HOLD
COUNTER
READ
An+2
5666 drw 18
2. CE 0 , BE n = V IL ; CE 1 = V IH .
3. The "Internal Address" is equal to the "External Address" when ADS = V IL and equals the counter output when ADS = V IH .
4. No dead cycle exists during REPEAT operation. A READ or WRITE cycle may be coincidental with the counter REPEAT cycle: Address loaded by last valid
ADS load will be accessed. For more information on REPEAT function refer to Truth Table II.
5. CNTEN = V IL advances Internal Address from ‘An’ to ‘An +1’. The transition shown indicates the time required for the counter to advance. The ‘An +1’Address is
written to during this cycle.
6. For Pipelined Mode user should add 1 cycle latency for outputs as per timing waveform of read cycle for pipelined operations.
19
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T651S12DR | IC SRAM 9MBIT 12NS 208QFP |
| MC8641VU1000NB | IC MPU SGL E600 CORE 994FCCBGA |
| IDT70T651S12BCI | IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA |
| IDT70T633S12BCI | IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA |
| MC8641VU1000GC | IC MPU SGL E600 CORE 994FCCBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T3519S133BFGI8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208CABGA |
| IDT70T3519S133BFI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3519S133BFI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3519S133DR | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208QFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3519S133DRI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208QFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。