参数资料
型号: IDT70T3519S166BF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 18/28页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 9MBIT 166MHZ 208FBGA
标准包装: 7
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 9M(256K x 36)
速度: 166MHz
接口: 并联
电源电压: 2.4 V ~ 2.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 208-LFBGA
供应商设备封装: 208-CABGA(15x15)
包装: 托盘
其它名称: 70T3519S166BF
IDT70T3519/99/89S
High-Speed 2.5V 256/128/64K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Pipelined Read with Address Counter Advance
t CYC2
(1)
CLK
t CH2
t CL2
t SA
t HA
ADDRESS
ADS
CNTEN
An
t SAD t HAD
t CD2
t SAD t HAD
t SCN t HCN
DATA OUT
Qx - 1 (2)
Qx
Qn
Qn + 1
Qn + 2 (2)
Q n + 3
t DC
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
READ
WITH
COUNTER
5666 drw 15
Timing Waveform of Flow-Through Read with Address Counter Advance (1)
t CYC1
CLK
t CH1
t CL1
t SA
t HA
ADDRESS
ADS
An
t SAD t HAD
t SAD t HAD
t SCN t HCN
CNTEN
t CD1
DATA OUT
Qx (2)
Qn
Qn + 1
Qn + 2
Qn + 3 (2)
Qn + 4
t DC
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
READ
WITH
COUNTER
5666 drw 16
NOTES:
1. CE 0 , OE , BE n = V IL ; CE 1 , R/ W , and REPEAT = V IH .
2. If there is no address change via ADS = V IL (loading a new address) or CNTEN = V IL (advancing the address), i.e. ADS = V IH and CNTEN = V IH , then
the data output remains constant for subsequent clocks.
18
6.42
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