参数资料
型号: IDT70T3539MS133BCI8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 12/26页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256BGA
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 18M(512K x 36)
速度: 133MHz
接口: 并联
电源电压: 2.4 V ~ 2.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 256-LBGA
供应商设备封装: 256-CABGA(17x17)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 70T3539MS133BCI8
IDT70T3539M
High-Speed 2.5V 512K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of a Multi-Device Pipelined Read (1,2)
t CYC2
CLK
t CH2
t CL2
t SA
t HA
ADDRESS (B1)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
t SC
t HC
CE 0(B1)
t SC
t HC
DATA OUT(B1)
t CD2
Q 0
t CD2
Q 1
t CKHZ
t CD2
Q 3
t SA
t HA
t DC
t DC
t CKLZ
t CKHZ
ADDRESS (B2)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
t SC
t HC
CE 0(B2)
t SC
t HC
t CD2
t CKHZ
t CD2
DATA OUT(B2)
t CKLZ
Q 2
t CKLZ
Q 4
,
5678 drw 07
Timing Waveform of a Multi-Device Flow-Through Read (1,2)
t CYC1
CLK
t CH1
t CL1
t SA
t H
ADDRESS (B1)
A
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
CE 0(B1)
t SC t HC
t SC t HC
t CD1
t CD1
t CKHZ
(1)
t CD1
t CD1
DATA OUT(B1)
D 0
t DC
D 1
t DC
t CKLZ
(1)
D 3
t CKHZ (1)
t CKLZ
(1)
D 5
t SA
t HA
ADDRESS (B2)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
t SC t HC
CE 0(B2)
t SC t HC
t CD1
t CKHZ
(1)
t CD1
t CKHZ (1)
DATA OUT(B2)
t CKLZ
(1)
D 2
t CKLZ
(1)
D 4
,
5678 drw 08
NOTES:
1. B1 Represents Device #1; B2 Represents Device #2. Each Device consists of one IDT70T3539M for this waveform,
and are setup for depth expansion in this example. ADDRESS (B1) = ADDRESS (B2) in this situation.
2. BE n , OE , and ADS = V IL ; CE 1(B1) , CE 1(B2) , R/ W , CNTEN , and REPEAT = V IH .
12
6.42
相关PDF资料
PDF描述
KMPC8313EVRADDB IC MPU POWERQUICC II 516-PBGA
KMPC8313ECZQAFFB IC MPU POWERQUICC II 516-PBGA
305-020-521-202 CONN EDGE BRD 20 POS
355-012-521-204 CARDEDGE 12POS DL .156 LOPRO BLK
355-012-521-202 CARDEDGE 12POS DL .156 LOPRO BLK
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT70T3539MS166BC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3539MS166BC8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3539MS166BCG 功能描述:IC SRAM 18MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3589S133BC 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3589S133BC8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)