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参数资料
| 型号： | IDT70T3719MS133BBG |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 72 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 256K X 72 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA324 |
| 封装： | 19 X 19 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1.76 MM PITCH, GREEN, BGA-324 |
| 文件页数： | 20/25页 |
| 文件大小： | 316K |
| 代理商： | IDT70T3719MS133BBG |
6.42
IDT70T3719/99M
High-Speed 2.5V 256/128K x 72 Dual-Port Synchronous Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
T iming Waveform - Entering S leep Mode
(1,2)
Advanced
20
(3)
R/
W
DATA
OUT
R/
W
OE
(4)
Dn
Dn+1
An+1
An
(5)
(5)
T iming Waveform - Exiting S leep Mode
(1,2)
NOTES:
1. CE
1 =
V
IH.
2. All timng is same for Left and Right ports.
3.
CE
0
has to be deactivated (
CE
0
= V
IH
) three cycles prior to asserting ZZ (ZZx = V
IH
) and held for two cycles after asserting ZZ (ZZx = V
IH
).
4.
CE
0
has to be deactivated (
CE
0
= V
IH
) one cycle prior to de-asserting ZZ
(ZZx = V
IL
) and held for three cycles after de-asserting ZZ (ZZx = V
IL
).
5. The device must be in Read Mode (R/
W
High) when exiting sleep mode. Outputs are active but data is not valid until the following cycle.
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PDF描述 |
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