参数资料
型号: IDT70T3799MS133BBGI
厂商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分类: DRAM
英文描述: HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 72 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
中文描述: 128K X 72 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA324
封装: 19 X 19 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1.76 MM PITCH, GREEN, BGA-324
文件页数: 23/25页
文件大小: 316K
代理商: IDT70T3799MS133BBGI
6.42
IDT70T3719/99M
High-Speed 2.5V 256/128K x 72 Dual-Port Synchronous Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
J TAG T iming S pec ific ations
t
JCYC
t
JF
t
JCL
t
JR
t
JCH
Advanced
J TAG AC Elec tric al
Charac teristic s
(1,2,3,4)
70T3719/99M
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Units
t
JCYC
JTAG Clock Input Period
100
____
ns
t
JCH
JTAG Clock HIGH
40
____
ns
t
JCL
JTAG Clock Low
40
____
ns
t
JR
JTAG Clock Rise Time
____
3
(1)
ns
t
JF
JTAG Clock Fall Time
____
3
(1)
ns
t
JRST
JTAG Reset
50
____
ns
t
JRSR
JTAG Reset Recovery
50
____
ns
t
JCD
JTAG Data Output
____
25
ns
t
JDC
JTAG Data Output Hold
0
____
ns
t
JS
JTAG Setup
15
____
ns
t
JH
JTAG Hold
15
____
ns
5687 tbl 16
NOTES:
1. Guaranteed by design.
2. 30pF loading on external output signals.
3. Refer to AC Electrical Test Conditions stated earlier in this document.
4. JTAG operations occur at one speed (10MHz). The base device may run at
any speed specified in this datasheet.
TCK
Device Inputs
(1)
/
TDI/TMS
Device Outputs
(2)
/
TDO
TRST
t
JCD
t
JDC
t
JRST
t
JS
t
JH
t
JRSR
5687 drw 25
,
Figure 5. Standard JTAG Timing
NOTES:
1. Device inputs = All device inputs except TDI, TMS, and TRST.
2. Device outputs = All device outputs except TDO.
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PDF描述
IDT70T3799MS166BBG HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 72 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
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IDT70T631S10BC 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T631S10BC8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T631S10BCI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
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