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参数资料
型号： IDT70T3799MS166BBG
厂商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分类： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 72 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
中文描述： 128K X 72 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA324
封装： 19 X 19 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1.76 MM PITCH, GREEN, BGA-324
文件页数： 1/25页
文件大小： 316K
代理商： IDT70T3799MS166BBG
2005 Integrated Device Technology, Inc.
J UNE 2005
DSC 5687/1
1
Func tional Bloc k Diagram
HIGH-SPEED 2.5V
256/128K x 72
SYNCHRONOUS
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
ADVANCED
IDT70T3719/99M
REPEAT
R
ADS
R
A
0
R
CNTEN
R
D
OUT
0-8_R
D
OUT
9-17_R
D
OUT
18-26_R
D
OUT
27-35_R
D
OUT
36-44_R
D
OUT
45-53_R
D
OUT
54-62_R
D
OUT
63-72_R
I/O
0R
- I/O
71R
D
IN
_R
ADDR_R
OE
R
BE
7R
BE
0R
R/
W
R
CE
0R
CE
1R
1
0
1/0
FT
/PIPE
R
1a 0a
a
1h
0h
h
CLK
R
,
Address
Reg.
h
a
0/1
0h 1h
0a 1a
B
W
0
R
FT
/PIPE
R
Address
Reg.
CNTEN
L
ADS
L
REPEAT
L
B
W
0
L
B
W
7
L
I/O
0L
- I/O
71L
A
17L
(1)
A
0L
D
IN
_L
ADDR_L
OE
L
5687 drw 01
BE
7L
BE
0L
R/
W
L
CE
0L
CE
1L
2MEMORY
ARRAY
CLK
L
a
h
FT
/PIPE
L
0/1
1h 0h
1a 0a
B
W
7
R
,
JTAG
TCK
TMS
TRST
TDO
TDI
1
0
1/0
0h 1h
h
0a
1a
a
FT
/PIPE
L
1/0
1/0
INTERRUPT
COLLISION
DETECTION
LOGIC
R/
W
R
CE
0
R
CE
1
R
INT
L
COL
L
INT
R
COL
R
ZZ
CONTROL
LOGIC
ZZ
L(2)
ZZ
R(2)
A
17R
(1)
Byte 0
Byte 7
D
OUT
0-8_L
D
OUT
9-17_L
D
OUT
18-26_L
D
OUT
27-35_L
D
OUT
36-44_L
D
OUT
45-53_L
D
OUT
54-62_L
D
OUT
63-72_L
Byte 7
Byte 0
R/
W
L
CE
0
L
CE
1
L
Features:
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆
High-speed data access
– Commercial: 3.6ns (166MHz)/
4.2ns (133MHz)(max.)
– Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.)
◆
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
◆
Counter enable and repeat features
◆
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
◆
Interrupt and Collision Detection Flags
◆
Full synchronous operation on both ports
– 6ns cycle time, 166MHz operation (23.9Gbps bandwidth)
– Fast 3.6ns clock to data out
– Self-timed write allows fast cycle time
1. Address A
17
is a NC for the IDT70T3799.
2. The sleep mode pin shuts off all dynamc inputs, except JTAG inputs, when asserted. All static inputs, i.e., PL/
FT
x and OPTx
and the sleep mode pins themselves (ZZx) are not affected during sleep mode.
NOTES:
– 1.7ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 166MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
◆
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
◆
Dual Cycle Deselect (DCD) for Pipelined Output Mode
◆
2.5V (±100mV) power supply for core
◆
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V
(±100mV) power supply for I/Os and control signals on
each port
◆
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available at 133MHz
◆
Available in a 324-pin Green Ball Grid Array (BGA)
◆
Includes JTAG Functionality
相关PDF资料
PDF描述
IDT70T3799MS166BBGI HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 72 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T631S 122 x 32 pixel format, Compact LCD size
IDT70T9159L HIGH-SPEED 2.5V 16/8K X 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70T9169 HIGH-SPEED 2.5V 16/8K X 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70T9169L7BF1 HIGH-SPEED 2.5V 16/8K X 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
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参数描述
IDT70T631S10BC 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T631S10BC8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T631S10BCI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T631S10BCI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T631S10BF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
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