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参数资料
| 型号： | IDT70V05S55PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 64KBIT 55NS 64TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 64K (8K x 8) |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V05S55PF8 |
IDT70V05S/L
High-Speed 3.3V 8K x 8 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings (1)
S y m b o l R a t i n g C o m m e r c i a l
& I n d u s t r i a l
U n i t
Maximum Operating Temperature
and Supply Voltage (1)
G r a d e A m b i e n t T e m p e r a t u r e G N D V DD
0 C t o + 7 0 C
- 4 0 C t o + 8 5 C
V TERM (2)
T B I A S
T e r m i n a l V o l t a g e
w i t h R e s p e c t
t o G N D
T e m p e r a t u r e
U n d e r B i a s
- 0 . 5 t o + 4 . 6
- 5 5 t o + 1 2 5
V
C
o
C o m m e r c i a l
I n d u s t r i a l
NOTE:
O O
O O
0 V
0 V
3 . 3 V + 0 . 3 V
3 . 3 V + 0 . 3 V
2 9 4 1 t b l 0 5
T S T G
S t o r a g e
T e m p e r a t u r e
- 6 5 t o + 1 5 0
o
C
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
I O U T
D C O u t p u t
C u r r e n t
5 0
m A
NOTES:
2 9 4 1 t b l 0 4
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
Recommended DC Operating
Conditions
V DD + 0 . 3
operationofthedeviceattheseoranyotherconditionsabovethoseindicatedin
the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V TERM must not exceed V DD + 0.3V.
S y m b o l
V DD
V SS
V I H
P a r a m e t e r
S u p p l y V o l t a g e
G r o u n d
I n p u t H i g h V o l t a g e
M i n .
3 . 0
0
2 . 0
T y p .
3 . 3
0
_ _ _ _
M a x .
3 . 6
0
( 2 )
U n i t
V
V
V
V I L
I n p u t L o w V o l t a g e
- 0 . 5
Capacitance (T A =+25°C,f=1.0MHz)
S y m b o l P a r a m e t e r ( 1 ) C o n d i t i o n s M a x .
U n i t
NOTES:
1. V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
( 1 )
_ _ _ _
0 . 8
V
2 9 4 1 t b l 0 6
C I N
C O U T
I n p u t C a p a c i t a n c e
O u t p u t C a p a c i t a n c e
V I N = 3 d V
V O U T = 3 d V
9
1 0
p F
p F
2. V TERM must not exceed V DD +0.3V.
NOTES:
2 9 4 1 t b l 0 7
1. This parameter is determined by device characterization but is not production
tested.
2. 3dV references the interpolated capacitznce when the input and output signals
switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 0.3V)
7 0 V 0 5 S
7 0 V 0 5 L
I n p u t L e a k a g e C u r r e n t
Symbol
| I LI |
| I L O |
V O L
V O H
P a r a m e t e r
( 1 )
O u t p u t L e a k a g e C u r r e n t
O u t p u t L o w V o l t a g e
O u t p u t H i g h V o l t a g e
T e s t C o n d i t i o n s
V D D = 3 . 6 V , V I N = 0 V t o V D D
V O U T = 0 V t o V D D
I O L = + 4 m A
I O H = - 4 m A
M i n .
_ _ _
_ _ _
_ _ _
2 . 4
M a x .
1 0
1 0
0 . 4
_ _ _
M i n .
_ _ _
_ _ _
_ _ _
2 . 4
M a x .
5
5
0 . 4
_ _ _
U n i t
μ A
μ A
V
V
NOTE:
1. At V DD < 2.0V input leakages are undefined.
5
6.42
2 9 4 1 t b l 0 8
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