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参数资料
| 型号： | IDT70V05S55PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 64KBIT 55NS 64TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 64K (8K x 8) |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V05S55PF8 |
IDT70V05S/L
High-Speed 3.3V 8K x 8 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Test Conditions
3.3V
3.3V
I n p u t P u l s e L e v e l s
I n p u t R i s e / F a l l T i m e s
G N D t o 3 . 0 V
3 n s M a x .
590 ?
590 ?
I n p u t T i m i n g R e f e r e n c e L e v e l s
O u t p u t R e f e r e n c e L e v e l s
1 . 5 V
1 . 5 V
DATA OUT
BUSY
INT
435 ?
30pF
DATA OUT
435 ?
5pF*
O u t p u t L o a d
F i g u r e s 1 a n d 2
2 9 4 1 t b l 1 0
Figure 1. AC Output Test Load
2941 drw 05
Figure 2. Output Test Load
*Including scope and jig.
(For t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
Timing of Power-Up Power-Down
CE
I CC
I SB
t PU
50%
t PD
50%
2941 drw 06
7
6.42
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| IDT70V06L15JG8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 128KBIT 15NS 68PLCC |
| IDT70V06L15PF | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 15NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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